[发明专利]基板处理装置、沉积装置、基板处理方法及沉积方法有效
申请号: | 201410047349.0 | 申请日: | 2014-02-11 |
公开(公告)号: | CN104253067B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 金德镐;许明洙;张喆旼;李勇锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王兆赓;戴嵩玮 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 沉积 方法 | ||
本发明为了实现在将掩膜安置于基板上而处理基板时能够抑制因杂质而在基板处理中发生不良的基板处理装置、具备该装置的沉积装置、基板处理方法以及沉积方法,提供一种具备在一侧具有可投入基板的入口的腔体、沿上下延伸并在内部具有吸嘴且能够支撑掩膜的多个掩膜销的基板处理装置、具备该装置的沉积装置、基板处理方法及沉积方法。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置、具备该装置的沉积装置、基板处理方法及沉积方法,更具体地讲,涉及一种将掩膜安置在基板上而处理基板时抑制因杂质而在基板处理中发生不良的基板处理装置、具备该装置的沉积装置、基板处理方法以及沉积方法。
背景技术
通常,为了处理基板会经过将基板和掩膜置于相互间事先设定的位置而整齐排列基板及/或掩膜的过程。为此,将基板安置在基座(susceptor)上,将基板和掩膜对齐,并将掩膜置于基板上之后处理基板。
发明内容
技术问题
但是,在以往的基板处理装置中存在对基板进行处理时,不必要的杂质将存在于基板等上,从而不能正常实现对基板的处理的问题。即,在基座安置有基板的状态下将掩膜对齐于基板等的过程中,杂质从掩膜等落到基板上而残存于基板上,从而在处理基板时存在可能引起处理不良的问题。
本发明是为了解决包括如上所述的问题的诸多问题而提出的,目的在于提供一种将掩膜安置在基板上处理基板时抑制因杂质而在基板处理中发生不良的基板处理装置、具备该装置的沉积装置、基板处理方法以及沉积方法。然而这些问题是示例性的,本发明的范围不限于此。
技术方案
根据本发明的观点,提供一种具备在一侧具有可投入基板的入口的腔体、沿上下延伸并在内部具有吸嘴且能够支撑掩膜的多个掩膜销的基板处理装置。
还可具备通过移动所述多个掩膜销来调整掩膜的相对于通过所述入口投入的基板的位置的平台。此时,所述平台移动所述多个掩膜销时,可通过所述吸嘴进行吸入抽吸。或者,所述多个掩膜销通过向上运动支撑掩膜时,可通过所述吸嘴进行抽吸。
所述多个掩膜销能够进行上下运动,并可通过向下运动将掩膜安置在通过所述入口投入的基板上。
所述多个掩膜销可分别具备位于上部的前端部而可旋转的球(ball)。
还可具备连接于所述腔体的主配管、连接于所述主配管而能够将所述腔体内的气体向外部抽出的泵部、从所述主配管分支而连接到所述吸嘴以通过所述泵部向外部抽出所述吸嘴内的气体的吸入配管。
此时,还可以具备安装在所述吸入配管的节流阀和开关阀。或者,还可以具备安装在所述主配管的所述主配管和所述吸入配管的分支点与所述腔体之间的部分的闸门阀。
根据本发明的另一个观点,提供一种沉积装置,具备:如上所述的基板处理装置中至少任何一个和能够释放用于沉积在基板上的物质的沉积源。
根据本发明的另一个观点,提供一种基板处理方法,包括如下步骤:利用在内部具有吸嘴的多个掩膜销来支撑掩膜;在基座上安置基板;通过多个掩膜销内部的吸嘴进行抽吸的同时通过用于调整多个掩膜销的位置的平台来调整掩膜的相对于基板的位置;使多个掩膜销下降而将掩膜安置到安置在基座上的基板上。
所述支撑掩膜的步骤可以是将位于多个掩膜销的各自的上部的前端部而可旋转的球接触到掩膜以支撑掩膜的步骤。
还包括如下步骤:通过多个掩膜销内部的吸嘴进行抽吸的同时使掩膜销上升,以使掩膜从安装在基座上的基板分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造