[发明专利]基板处理装置、沉积装置、基板处理方法及沉积方法有效
申请号: | 201410047349.0 | 申请日: | 2014-02-11 |
公开(公告)号: | CN104253067B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 金德镐;许明洙;张喆旼;李勇锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王兆赓;戴嵩玮 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 沉积 方法 | ||
1.一种基板处理装置,所述装置具备:
在一侧具有可投入基板的入口的腔体;及
沿上下延伸并在内部具有吸嘴且能够支撑掩膜的掩膜销;
位于所述掩膜销的上部方向的前端部而可旋转的球;以及
以与所述球相接触的方式夹设于所述掩膜销的所述前端部与所述球之间的轴承,
在所述掩膜销的所述前端部附近产生杂质时,通过所述吸嘴使所述杂质移动到所述吸嘴内。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,还具备:通过移动所述掩膜销来调整掩膜的相对于通过所述入口投入的基板的位置的平台。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述平台移动所述掩膜销时,通过所述吸嘴进行抽吸。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置,其中,所述掩膜销通过向上运动支撑掩膜时,通过所述吸嘴进行抽吸。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置,其中,所述掩膜销可进行上下运动,并通过向下运动将掩膜安置在通过所述入口投入的基板上。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置,其中,还具备:
主配管,连接于所述腔体;
泵部,连接于所述主配管而能够将所述腔体内的气体向外部抽出;及
吸入配管,从所述主配管分支而连接到所述吸嘴,以通过所述泵部向外部抽出所述吸嘴内的气体。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,还具备:安装在所述吸入配管的节流阀和开关阀。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,还具备:安装在所述主配管的所述主配管和所述吸入配管的分支点与所述腔体之间的部分的闸门阀。
9.一种沉积装置,所述装置具备:
权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置;及
能够释放用于沉积在基板上的物质的沉积源。
10.一种基板处理方法,所述方法包括如下步骤:
使位于在内部具有吸嘴的掩膜销的上部方向的前端部而可旋转的球接触到掩膜,并以与球相接触的方式使轴承夹设于掩膜销的前端部与球之间,从而支撑掩膜;
在基座上安置基板;
通过掩膜销内部的吸嘴来进行抽吸的同时通过用于调整掩膜销的位置的平台来调整掩膜的相对于基板的位置;及
使掩膜销下降而将掩膜安置到安置在基座上的基板上,
在掩膜销的前端部附近产生杂质时,通过吸嘴使杂质移动到吸嘴内。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中,还包括如下步骤:通过掩膜销内部的吸嘴进行抽吸的同时使掩膜销上升,以使掩膜从安装在基座上的基板分离。
12.一种沉积方法,所述方法包括如下步骤:
使位于在内部具有吸嘴的掩膜销的上部方向的前端部而可旋转的球接触到掩膜,并以与球相接触的方式使轴承夹设于掩膜销的前端部与球之间,从而来支撑掩膜;
在基座上安置基板;
通过掩膜销内部的吸嘴进行抽吸的同时通过用于调整掩膜销的位置的平台来调整掩膜的相对于基板的位置;
使掩膜销下降而将掩膜安置到安置在基座上的基板上;及
通过掩膜的开口将物质沉积到基板上,
在掩膜销的前端部附近产生杂质时,通过吸嘴使杂质移动到吸嘴内。
13.根据权利要求12所述的沉积方法,其中,还包括如下步骤:
通过掩膜销内部的吸嘴进行抽吸的同时使掩膜销上升而将掩膜从安装在基座上的基板分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造