[发明专利]具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201410045037.6 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN104282777A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 戴煜暐;陈伟铭;洪传献 | 申请（专利权）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 碳化硅 结晶 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池，其特征在于，包含：
一半导体基板，所述半导体基板具有粗糙化的一第一表面，所述第一表面设有一掺杂碳化硅层，所述掺杂碳化硅层包含一掺杂元素；
一抗反射层，设置于所述掺杂碳化硅层上；
多个正面电极，设置于所述抗反射层上且穿透所述抗反射层并与所述掺杂碳化硅层接触；及
一背面电极层，设置于所述半导体基板一第二表面。
2.如权利要求1所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池，其特征在于，所述半导体基板为P型半导体基板或N型半导体基板。
3.如权利要求2所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池，其特征在于，当所述半导体基板为P型半导体基板时，所述掺杂碳化硅层的所述掺杂元素为N型，其中N型的所述掺杂元素为磷、砷、锑、铋或其组合。
4.如权利要求2所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池，其特征在于，当所述半导体基板为N型半导体基板时，所述掺杂碳化硅层的所述掺杂元素为P型，其中P型的所述掺杂元素为硼、铝、镓、铟、铊或其组合。
5.如权利要求1所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池，其特征在于，所述半导体基板为一单晶硅基板或一多晶硅基板。
6.一种具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：
提供一半导体基板；
以离子植入法将碳元素植入所述半导体基板的一第一表面再以高温退火而形成一碳化硅层；
掺杂一掺杂元素至所述碳化硅层，使所述碳化硅层形成一掺杂碳化硅层；
形成至少一抗反射层于所述掺杂碳化硅层上；
形成多个正面电极于所述抗反射层上；及
形成一背面电极于所述半导体基板的一第二表面。
7.如权利要求6所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述半导体基板为P型半导体基板或N型半导体基板。
8.如权利要求7所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，当所述半导体基板为P型半导体基板时，所述掺杂碳化硅层的所述掺杂元素为N型，其中N型的所述掺杂元素为磷、砷、锑、铋或其组合。
9.如权利要求7所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，当所述半导体基板为N型半导体基板时，所述掺杂碳化硅层的所述掺杂元素为P型，其中P型的所述掺杂元素为硼、铝、镓、铟、铊或其组合。
10.如权利要求6所述的具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述半导体基板为一单晶硅基板或一多晶硅基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
