[发明专利]自动扩展缺陷图形库的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及DFM（DesignForManufacture）可制造性图形设计领域；更具体地说，本发明涉及版图设计工艺热点检测方法中的自动扩展缺陷图形库的方法。

背景技术

在先进光刻工艺中，在曝光机台没有更新的前提下，随着曝光图形尺寸的不断缩小，会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形（见图1与图2，其中图1中的虚线圈部分示出了实际会产生光刻缺陷的图形区域），类似的光刻图形结构称为光刻缺陷图形。

现有的光刻缺陷图形库中缺陷的图形收集一般过程为：大量的设计图形经过光刻工艺窗口模拟，得到极少数量的光刻缺陷图形。建立缺陷图形库，将光刻缺陷图形加入。这种只收集缺陷图形却不及时扩展缺陷图形的过程，时间跨度较长，收集效率低下。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够充分利用光刻缺陷图形原始数据，自动扩展缺陷图形库，使缺陷图形库得到完善的用于自动扩展缺陷图形库的方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种自动扩展缺陷图形库的方法，包括：第一步骤，用于准备表示原始缺陷图形的缺陷图形原始数据；第二步骤，用于通过使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动，和/或通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化，对所述原始缺陷图形的关键尺寸进行分批演变，由此自动生成虚拟缺陷图形数据库；第三步骤，用于对虚拟缺陷图形进行工艺偏差模拟，并根据工艺偏差模拟的结果筛选出新的缺陷图形；第四步骤，用于将新的缺陷图形添加到缺陷图形库以形成新的缺陷图形数据，由此使缺陷图形库得到扩展。

优选地，在第二步骤中，在通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化的情况下，根据参考缺陷图形自身的缺陷位置来确定关键尺寸变化。

优选地，在第二步骤中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，单边图像的移动距离小于1/3关键尺寸，多边形图像的移动距离小于1倍关键尺寸。

优选地，在第二步骤S2中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，多次对所述剩余部分移动，并且在每次移动所述剩余部分之后产生一次虚拟缺陷图形。

优选地，每次移动所述剩余部分的移动距离为0.005um。

本发明根据已经发现的光刻缺陷图形，通过改变图形关键位置的尺寸，然后衍生出一系列不同尺寸的虚拟缺陷图形，虚拟缺陷图形再经过工艺窗口模型仿真（PWModelSimulation），得到新的缺陷图形。最终将这些新的光刻缺陷图形加入缺陷图形库(DefectPatternLibrary)中，使缺陷图形库更加完善。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了光刻缺陷图形版图设计。

图2示意性地示出了图1所示的光刻缺陷图形版图设计的相应的光刻缺陷图形电子显微镜图形。

图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的流程图。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法采用的原始缺陷图形的示例。

图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的缺陷图形关键尺寸分批演变示例图。

图6a至图6e示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的衍生虚拟缺陷图形示例图。

图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的具体实施方式示例图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的流程图。

具体地说，如图3所示，根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法包括：

第一步骤S1：准备表示原始缺陷图形的缺陷图形原始数据。