[发明专利]功率集成器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410037708.4 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104810363B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 郑玉宁;陈建国;张枫 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 集成 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种功率集成器件的制作方法，其特征在于，包括：
向半导体基底中掺杂第一离子，形成第一导电类型的重掺杂基底；
在所述重掺杂基底的背面形成第一阻挡层薄膜，在所述重掺杂基底的正面形成第二阻挡层薄膜；
图形化所述第二阻挡层薄膜，形成第二阻挡层的图案；
以所述第二阻挡层图案为掩膜，向所述重掺杂基底掺杂第二离子，形成第二导电类型的重掺杂埋层；
通过干法刻蚀仅去除第二阻挡层；
在所述重掺杂埋层的上方形成第二导电类型的轻掺杂外延层；
在所述第一阻挡层薄膜之下形成金属层，其中，所述第一离子和金属层的接触形成低接触电阻。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体基底为硅半导体基底；所述第一离子为砷离子。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过一次工艺形成所述第一阻挡层薄膜和第二阻挡层薄膜。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层均包括氮化硅层和垫氧层的复合层，所述垫氧层靠近所述重掺杂基底的一侧。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，通过一次工艺形成所述第一阻挡层薄膜和第二阻挡层薄膜包括：
通过热氧化工艺在所述重掺杂基底的正面和背面形成垫氧层；
将所述重掺杂基底放入低压炉管中，由二氯二氢硅和氨气反应生成氮化硅，在所述垫氧层上形成氮化硅层。
6.一种功率集成器件，其特征在于，所述功率集成器件利用如权利要求1所述制作方法制造；所述功率集成器件包括：
第一导电类型的重掺杂基底，所述重掺杂基底中掺杂有第一离子；
金属层，形成在所述重掺杂基底的背面；
其中，所述第一离子和金属层的接触形成低接触电阻；
第二导电类型的重掺杂埋层图案，形成在所述重掺杂基底的正面；
第二导电类型的轻掺杂外延层，形成在所述重掺杂埋层上方；
第一阻挡层，位于所述重掺杂基底和所述金属层之间。
7.根据权利要求6所述的功率集成器件，其特征在于，所述第一离子为砷离子。
8.根据权利要求6所述的功率集成器件，其特征在于，所述第一阻挡层包括氮化硅层和垫氧层，所述垫氧层靠近所述重掺杂基底的一侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
