[发明专利]WB型封装基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，更具体地说，本发明涉及一种WB型封装基板的制作方法。

背景技术

以输入输出（I/O）元件到基板的连接方式，分为传统打金线（Wire Bonding，WB型，也称为引线连接或引线键合）和覆晶方式（Flip Chip，FC型）。

如图1所示，对于WB型，布置在布线4上的单晶片或多晶片1上I/O元件通过诸如金线（Gold Wire）之类的引线2连接到封装基板接合焊盘（Bonding Pad）（例如布线端子3）上，晶片朝上放置，晶片I/O点在外围四周，点数一般受到限制。对于FC型，将打金线方式改为凸点焊接，将晶片倒转，再焊接到基板上形成覆晶式晶粒接合，晶片朝下放置，晶片I/O焊盘可成矩阵排列，点数比WB型高出许多。

引线连接法是通过热压、钎焊等方法将芯片中各金属化端子与封装基板相应引脚焊盘之间的键合连接的方法，其主要包括热压键合法、超声键合法、热超声键合法等，无论哪种方法均对金手指（Wire Bonding Pad，也称为引线键合焊盘）表面清洁度、平整性很敏感，否则易出现打线不良问题。

为了提高WB型基板布线密度，通常将基板设计成多台阶结构，目前针对台阶型基板尚无很好的制造工艺，多采用低流动度（No-Flow，NF）半固化片内缩挖槽后将基材（或台阶单元）与半固化片定位压合，因高温高压过程半固化片流动特性，会有胶流向台阶的引线键合焊盘表面流动趋势，且流胶通常微观上是不均匀的，部分流胶多的地方，溢胶会上盘，导致后续无法进行引线键合，部分流胶少的地方，台阶下面形成空洞；且层压过程台阶位置有往下压塌的趋势，该类基板制造良率通常极低。

现有技术通常采用半固化片内缩压合（半固化片开窗尺寸通常大于台阶槽尺寸），基材（或台阶单元）预先铣切开窗，工艺稳定性、重复性较差，常出现溢胶上盘、焊盘污染、台阶下方空洞、台阶塌陷等一系列问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种实现多台阶WB型基板台阶上金手指表观溢胶的控制、台阶引脚共面性、台阶洁净度的保护和台阶位置可靠性的确保的WB型封装基板的制作方法。

根据本发明，提供了一种WB型封装基板的制作方法，其包括：

第一步骤：制作带引线键合焊盘的台阶单元；

第二步骤：在台阶单元的有引线键合焊盘的面上贴组合干膜层，然后对组合干膜层进行图形转移，以便在台阶单元的有引线键合焊盘的面上形成形成有图案的组合干膜层；

第三步骤：对半固化片进行铣切开槽以在半固化片中形成开窗，并将铣切开槽后的半固化片、形成有干膜的台阶单元以及顶层板一起进行定位层压；

第四步骤：执行外层PCB制造流程；

第五步骤：从顶层板进行通槽铣切和控深铣切，露出台阶单元的组合干膜层；

第六步骤：去除组合干膜层，从而露出引线键合焊盘。

优选地，所述WB型封装基板的制作方法还包括第七步骤：在第六步骤露出引线键合焊盘之后进行成品铣切。

优选地，组合干膜层的厚度与层间半固化片的厚度匹配。

优选地，形成图案之后的组合干膜层与半固化片开窗区域匹配。

优选地，在第一步骤或第六步骤中，对引线键合焊盘进行表面处理。

优选地，在第六步骤中，采用化学粗化和褪膜液的组合方式去除台阶引线键合焊盘上的干膜。

优选地，在第六步骤中，采用等离子处理和褪膜液的组合方式去除台阶引线键合焊盘上的干膜。

由此，针对采用半固化片内缩压合、基材预先铣切开窗的现有技术中的工艺稳定性、重复性较差、溢胶上盘、焊盘污染、台阶下方空洞、台阶塌陷等一系列问题，本发明采用一种新的工艺既能避免溢胶上盘、成品焊盘污染、或台阶下空洞，又能避免层压后台阶位置塌陷，可靠性大大提高。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了WB型封装基板。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的WB型封装基板的制作方法的流程图。

图3至图9示意性地示出了根据本发明优选实施例的WB型封装基板的制作方法的流程图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式