[发明专利]WB型封装基板的制作方法有效
| 申请号： | 201410033506.2 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103745932A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈文录;徐杰栋;周文木;梁少文;吴梅珠;刘秋华;胡广群;吴小龙 | 申请（专利权）人： | 无锡江南计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 214083 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | wb 封装 制作方法 | ||
1.一种WB型封装基板的制作方法，其特征在于包括：
第一步骤：制作带引线键合焊盘的台阶单元；
第二步骤：在台阶单元的有引线键合焊盘的面上贴组合干膜层，然后对组合干膜层进行图形转移，以便在台阶单元的有引线键合焊盘的面上形成形成有图案的组合干膜层；
第三步骤：对半固化片进行铣切开槽以在半固化片中形成开窗，并将铣切开槽后的半固化片、形成有干膜的台阶单元以及顶层板一起进行定位层压；
第四步骤：执行外层PCB制造流程；
第五步骤：从顶层板进行通槽铣切和控深铣切，露出台阶单元的组合干膜层；
第六步骤：去除组合干膜层，从而露出引线键合焊盘。
2.根据权利要求1所述的WB型封装基板的制作方法，其特征在于还包括第七步骤：在第六步骤露出引线键合焊盘之后进行成品铣切。
3.根据权利要求1或2所述的WB型封装基板的制作方法，其特征在于，组合干膜层的厚度与层间半固化片的厚度匹配。
4.根据权利要求1或2所述的WB型封装基板的制作方法，其特征在于，形成图案之后的组合干膜层与半固化片开窗区域匹配。
5.根据权利要求1或2所述的WB型封装基板的制作方法，其特征在于，在第一步骤或第六步骤中，对引线键合焊盘进行表面处理。
6.根据权利要求1或2所述的WB型封装基板的制作方法，其特征在于，在第六步骤中，采用化学粗化和褪膜液的组合方式去除台阶引线键合焊盘上的干膜。
7.根据权利要求1或2所述的WB型封装基板的制作方法，其特征在于，在第六步骤中，采用等离子处理和褪膜液的组合方式去除台阶引线键合焊盘上的干膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
