[发明专利]一种MOS管及其制造方法

说明书

本发明提供一种MOS管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括下列步骤：在第一导电型的第一区域上形成第二区域；在第二区域表面热氧化生长第一氧化层；剥掉第二区域的第一氧化层；在第一氧化层位置再生长第二氧化层；在第二氧化层上沉淀形成第三区域；在第三区域内光刻、蚀刻出沟槽，剩余的第三区域形成栅极；在沟槽下的第二区域内形成体区；在沟槽内放置光阻，进行光刻，在体区上，沟槽与栅极交界处的底部形成源区；在体区内沟槽底部形成第四区域；在栅极上以及沟槽内沉淀介质层，进行回流；在介质层沉淀第一金属层；在第一区域下沉淀第二金属层形成漏极。本发明的方法，解决了现有的制造工艺制造的MOS管作为开关抗冲击能力低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种MOS管及其制造方法。

背景技术

平面DMOS管是最典型的半导体器件之一，目前大量应用于电源适配器、逆变器、氙气灯、LED驱动等电路中。

在高压DMOS管的制造技术中，单脉冲雪崩击穿能量EAS反映了器件作为开关的抗冲击能力，是衡量器件可以安全吸收反向雪崩能量的高低，因此，提高器件的EAS抗冲击能力非常重要。一般的传统方法如图1所示，采用侧墙（Spacer）阻挡工艺，先沉淀一层Spacer再进行P+注入，根据具体情况还可以选择回刻工艺。但是，该方法在注入P+时还需要沉淀Spacer，工艺复杂，EAS低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种MOS管及其制造方法，实现直接利用多晶硅自对准工艺做P+注入，获得更好的EAS能力。

为达到上述目的，本发明的实施例提供一种MOS管的制造方法，包括下列步骤：

在第一导电型的第一区域上形成第二区域；

在所述第二区域表面热氧化生长第一氧化层；

剥掉所述第二区域的所述第一氧化层；

在所述第一氧化层位置再生长第二氧化层；

在所述第二氧化层上沉淀形成第三区域；

在所述第三区域内光刻、蚀刻出沟槽，剩余的第三区域形成栅极；

在所述沟槽下的第二区域内形成体区；

在所述沟槽内放置光阻，进行光刻，在所述体区上，所述沟槽与所述栅极交界处的底部形成源区；

在所述体区内所述沟槽底部形成第四区域；

在所述栅极上以及所述沟槽内沉淀介质层，进行回流；

在所述介质层沉淀第一金属层；

在所述第一区域下沉淀第二金属层形成漏极。

其中，所述第二区域为所述第一导电型且具有比第一区域低的掺杂剂浓度。

其中，所述第二氧化层为栅氧化层。

其中，所述第三区域为多晶硅。

其中，所述体区具有与第一导电型相反的第二导电型。

其中，所述源区为第一导电型。

其中，所述第四区域为所述第二导电型且具有比所述体区高的掺杂剂浓度。

本发明还提供一种MOS管，包括：

第一导电型的第一区域；

设置在所述第一区域上的第二区域；

在第二区域表面氧化形成的第二氧化层；

在所述第二氧化层上沉淀形成的栅极；

在所述栅极间光刻、蚀刻形成的沟槽；