[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201380079189.1 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105518865A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 大佐贺毅;石原三纪夫;日山一明;川濑达也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具有：
开关元件，其形成在半导体衬底；
温度传感二极管，其形成在所述半导体衬底；
所述开关元件的主电流电极焊盘，其配设在所述半导体衬底之 上；以及
导电膜，其配设在所述半导体衬底之上，将所述主电流电极焊 盘与所述温度传感二极管的一个电极电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有所述温度传感二极管的一个电极焊盘，该一个电极焊盘 配设在所述半导体衬底之上，
所述导电膜将所述一个电极焊盘与所述主电流电极焊盘电连 接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电膜将所述主电流电极焊盘与所述温度传感二极管的一 个电极电连接，而不经由所述温度传感二极管的一个电极焊盘。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
还具有所述半导体开关元件的控制电极配线，该控制电极配线 配设在所述半导体衬底之上，
所述导电膜与所述控制电极配线在同一工序形成。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
还具有所述温度传感二极管的另一个电极焊盘，该另一个电极 焊盘配设在所述半导体衬底之上的周缘部，
所述温度传感二极管形成在所述半导体衬底之上的中央部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述主电流电极焊盘之上还具有能够与焊料接合的金属膜，
所述导电膜与所述金属膜在同一工序形成。
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