[发明专利]半导体设备、显示单元以及电子装置

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

晶体管；

电容器；以及

氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享，

其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述晶体管包括：

栅极电极，与所述氧化物半导体膜的沟道区域相对，并且栅极绝缘膜介于所述栅极电极与所述氧化物半导体膜的沟道区域之间；

以及

一对低电阻区域，设置为邻近于所述氧化物半导体膜的沟道区域。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述晶体管包括电连接至所述氧化物半导体膜的所述低电阻区域的源极-漏极电极。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述电容器包括设置在所述氧化物半导体膜与电容器电极之间的电容器绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的半导体设备，其中，

所述晶体管和所述电容器被设置在基板上，

所述晶体管从所述基板依次包括所述氧化物半导体膜、所述栅极绝缘膜以及所述栅极电极，以及

所述电容器从所述基板依次包括所述含氢膜、所述氧化物半导体膜、所述电容器绝缘膜以及所述电容器电极。

6.根据权利要求4所述的半导体设备，其中，所述含氢膜在平面图中在所述电容器电极周围延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，沿着所述晶体管的沟道长度方向布置所述电容器。

8.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述含氢膜包含硅。

9.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述含氢膜包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜以及非晶硅膜中的一种。

10.根据权利要求2所述的半导体设备，进一步包括与所述氧化物半导体膜的所述低电阻区域相接触的高电阻膜。

11.根据权利要求10所述的半导体设备，其中，所述高电阻膜包含金属氧化物。

12.一种半导体设备，包括：

电容器，包括与氧化物半导体膜相接触的含氢膜。

13.一种显示单元，设置有多个显示元件和被配置为驱动所述多个显示元件的半导体设备，所述半导体设备包括：

晶体管；

电容器；以及

氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享，

其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。

14.一种电子装置，具有显示单元，所述显示单元设置有多个显示元件和被配置为驱动所述多个显示元件的半导体设备，所述半导体设备包括：

晶体管；

电容器；以及

氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享，

其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。