[发明专利]光电二极管阵列

权利要求书

1.一种光电二极管阵列，其特征在于，

是具备形成在半导体基板的多个光电二极管的光电二极管阵列，

所述光电二极管的各个具有：

第1导电型的第1半导体区域，其设置在所述半导体基板；

第2导电型的第2半导体区域，其以围绕规定区域的方式相对于所述第1半导体区域设置在所述半导体基板的一个面侧，并与所述第1半导体区域一起构成光检测区域；以及

贯通电极，其设置在以通过所述第1半导体区域和所述规定区域的方式贯通所述一个面与所述半导体基板的另一个面之间的贯通孔内，并与所述第2半导体区域电连接，

所述贯通孔包含从所述一个面朝向所述另一个面扩展的部分。

2.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于，

在所述规定区域，存在所述贯通孔通过并具有比所述第1半导体区域杂质浓度高的杂质浓度的所述第1导电型的第3半导体区域，

所述第2半导体区域与所述第3半导体区域隔开，

在所述第2半导体区域与所述第3半导体区域之间，以围绕所述第3半导体区域的方式存在所述第1半导体区域的一部分。

3.如权利要求2所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述第3半导体区域的内缘与外缘的间隔大于所述第3半导体区域的外缘与所述第2半导体区域的内缘的间隔。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述第2半导体区域的内缘在从所述半导体基板的厚度方向看的情况下，围绕所述另一个面侧的所述贯通孔的开口。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述光电二极管的各个包含形成在所述一个面上并使所述第2半导体区域与所述贯通电极电连接的接触电极，

所述接触电极的外缘在从所述半导体基板的厚度方向看的情况下，围绕所述另一个面侧的所述贯通孔的开口。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述一个面侧的所述贯通孔的开口呈圆形状。