[发明专利]具有闭环控制的底部和侧边等离子体调节在审
申请号: | 201380049420.2 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN104685608A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;A·K·班塞尔;G·巴拉苏布拉马尼恩;周建华;R·萨卡拉克利施纳;M·A·阿优伯;陈建 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 闭环控制 底部 侧边 等离子体 调节 | ||
1.一种用于处理半导体基板的装置,包括:
处理腔室,所述处理腔室包含腔体;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述处理腔室中;
盖组件,所述盖组件包含与电源耦合的导电性气体分配器;及
调节电极,所述调节电极设置在所述腔体与所述导电性气体分配器之间。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述调节电极与调节电路耦合。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述调节电路包括与电子控制器耦合的电子传感器。
4.如权利要求3所述的装置,其中所述电子传感器为电压或电流传感器且所述电子控制器为可变电容器。
5.如权利要求2所述的装置,其中所述调节电极通过隔离器与所述导电性气体分配器所隔离。
6.如权利要求5所述的装置,其中所述调节电路为所述处理腔室的接地通路。
7.一种用于处理半导体基板的装置,包括:
处理腔室,所述处理腔室包含腔体;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述处理腔室中;
盖组件,所述盖组件包括与电源耦合的导电性面板;及
侧壁电极,所述侧壁电极设置在所述腔体与所述盖组件之间,其中所述侧壁电极与第一阻抗调节电路耦合。
8.如权利要求7所述的装置,其中所述基板支撑件包括偏压电极与调节电极。
9.如权利要求8所述的装置,其中所述偏压电极与电源耦合且所述调节电极与第二阻抗调节电路耦合。
10.如权利要求9所述的装置,其中所述偏压电极与阻抗匹配电路耦合。
11.如权利要求10所述的装置,其中所述侧壁电极与所述第一阻抗调节电路形成用于所述处理腔室的接地通路。
12.如权利要求9所述的装置,其中所述第一阻抗调节电路与所述第二阻抗调节电路各自包括与可变元件耦合的电子传感器。
13.如权利要求12所述的装置,其中所述电子传感器是电压或电流传感器且所述可变元件为可变电容器。
14.如权利要求13所述的装置,进一步包括控制器,所述控制器与每个阻抗调节电路耦合,其中所述控制器接收来自所述电子传感器的信号并调整所述可变电容器。
15.如权利要求7所述的装置,进一步包括第一隔离器,所述第一隔离器介于所述侧壁电极与所述盖组件之间,以及第二隔离器,所述第二隔离器介于所述侧壁电极与所述腔体之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司;,未经应用材料公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380049420.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:表面被覆膜的形成方法和具有表面被覆膜的太阳能电池
- 下一篇:固体电解电容器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造