[发明专利]衬底处理装置

说明书

技术领域

此处公开的本说明涉及用于处理衬底的装置，尤其涉及其中在通道(passage)上安装上加热块与下加热块以在衬底上执行初步加热的衬底处理装置。

背景技术

一种半导体装置，该半导体装置包括硅衬底上的多个层。这些层通过沉积处理沉积在衬底上。沉积处理具有对于评估已沉积的层以及选择沉积方法来说很重要的多个重大问题。

第一，重大问题中的一个示例就是每一沉积层的“质量”。“质量”代表成份、污染程度、缺陷密度以及机械和电气属性。沉积层的成份可根据沉积条件而改变。这对于获得特定成份来说非常重要。

第二，重大问题的另一示例就是晶圆上的一致厚度。特别是，沉积在具有非平面形状(具有阶梯部分)的图案上的层的厚度非常重要。此处，已沉积的膜的厚度是否一致可通过阶梯覆盖率来决定，覆盖率被定义为阶梯部分上所沉积的膜的最小厚度除以图案上所沉积的膜的厚度的比例。

有关沉积的其他问题可以是填充空间。这代表间隙填充，其中包括氧化物层的绝缘层被填入金属线之间。间隙被设置为多条金属线彼此之间的物理及电气隔离。

在这些问题中，一致性对于沉积处理是非常重要的问题之一。不一致的层会导致金属线上的高电阻从而增加机械损伤的可能性。

发明内容

技术问题

本发明提供一种衬底处理装置，其中在通道上安装上加热块与下加热块，以便在衬底装载到基座(susceptor)之前，在衬底上执行初步加热。

参照下列详细说明以及附图将使本发明的其他目的变得清楚。

技术方案

本发明的实施方式提供衬底处理装置，执行对于衬底的处理，该衬底处理装置包括：腔室本体，其具有开口的上侧部，所述腔室本体包括限定在所述腔室本体一侧内的通道以使得经由所述通道装载或卸载所述衬底；腔室盖，其被设置在所述腔室本体的所述开口的上侧部上以覆盖所述腔室本体的所述开口的上侧部，所述腔室盖提供处理空间，在所述处理空间中执行对于所述衬底的处理；基座，其被设置在所述处理空间内以加热设置在所述基座的上表面上的所述衬底；加热块，其被设置在所述通道上部或下部上以对经由所述通道装载的所述衬底进行初步加热；以及端部执行器，其经由所述通道与所述衬底一起移动并将所述衬底装载在所述基座的上表面上。

在一些实施方式中，所述腔室本体可以具有上开口和下开口，所述上开口和所述下开口被分别限定在所述通道的上部与下部内，并且所述衬底处理装置可以包括：上加热块，其被固定至所述上开口，所述上加热块具有与所述处理空间隔离开的上安装空间；以及下加热块，其被固定至所述下开口，所述下加热块具有与所述处理空间隔离开的下安装空间。

在另一些实施方式中，所述上加热块的上侧部与所述下方加热块的下侧部可以被开口，并且所述衬底处理装置包括：上盖，其覆盖所述上加热块的所述开口的上侧部以将所述上安装空间与外界隔离；以及下盖，其覆盖所述下加热块的所述开口的下侧部以将所述下安装空间与外界隔离。

在又一些实施方式中，该衬底处理装置还可以包括设置在所述基座外侧的、围绕所述基座的喷嘴环，所述喷嘴环向上喷射惰性气体。

在又一些实施方式中，所述腔室本体可以具有限定在与所述通道相对的一侧内的排放通道，并且所述衬底处理装置还可以包括导流部，该导流部被设置在所述基座外侧，并向所述排放通道引导所述处理气体，其中，所述导流部可以包括：圆形引导部，其具有与所述基座同心的弧形，所述圆形引导部具有多个引导孔；以及线形引导部，其连接至所述圆形引导部的两侧部，并且分别被设置在所述基座的两侧部上，所述线形引导部的每个具有与所述衬底的装载方向基本平行的引导表面。

有益效果

根据本发明的实施方式，由于在衬底被装载到举升销上之前，上加热块和下加热块被安装在通道上以对衬底进行初步加热，所以可以缩短在沉积处理期间通过利用基座加热衬底所需要的时间以改善生产率。

附图说明

图1为根据本发明实施方式的衬底处理装置的示意图；

图2为例示图1的衬底处理装置的处理进度状态的示意图；以及

图3为例示图1的衬底处理装置的处理空间的剖面图。

具体实施方式