[发明专利]衬底处理装置有效
申请号: | 201380045437.0 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104584194B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
1.一种对单个衬底进行处理的衬底处理装置,该衬底处理装置包括:
主腔室,其是以下的形状,该形状具有:开口的上侧部;通道,该通道形成在所述主腔室的侧壁内以使得在水平状态下经由该通道装载或卸载所述单个衬底;限定在与形成在所述主腔室的侧壁内的通道相对的一侧内的排放通道;以及在形成在所述主腔室的侧壁内的通道上面或下面形成的开口;
腔室盖,其被设置在所述主腔室的所述开口的上侧部上以覆盖所述主腔室的所述开口的上侧部,所述腔室盖提供处理空间,在所述处理空间中执行对于所述衬底的处理;
基座,其被设置在所述处理空间内以加热所述衬底;
加热块,其被安装在所述开口上以对经由形成在所述主腔室的侧壁内的通道装载于所述处理空间的所述衬底进行初步加热;以及
导流部,该导流部被设置在所述基座外侧,并向所述排放通道引导所述处理气体,其中,所述导流部包括:
圆形引导部,其具有与所述基座同心的弧形,所述圆形引导部具有多个引导孔;以及
多个线形引导部,其连接至所述圆形引导部的两个侧部,并且分别被设置在所述基座的两个侧部上。
2.一种对单个衬底进行处理的衬底处理装置,该衬底处理装置包括:
主腔室,其是以下的形状,该形状具有:开口的上侧部;通道,该通道形成在所述主腔室的侧壁内以使得在水平状态下经由该通道装载或卸载所述单个衬底;限定在与形成在所述主腔室的侧壁内的通道相对的一侧内的排放通道;以及分别在形成在所述主腔室的侧壁内的通道上面和下面形成的上开口和下开口;
腔室盖,其被设置在所述主腔室的所述开口的上侧部上以覆盖所述主腔室的所述开口的上侧部,所述腔室盖提供处理空间,在所述处理空间中执行对于所述衬底的处理;
基座,其被设置在所述处理空间内以加热所述衬底;以及
加热块,其对经由形成在所述主腔室的侧壁内的通道装载于所述处理空间的所述衬底进行初步加热,
所述加热块包括:
上加热块,其被安装在所述上开口上,所述上加热块具有与形成在所述主腔室的侧壁内的通道隔离开的上安装空间;
下加热块,其被安装在所述下开口上,所述下加热块具有与形成在所述主腔室的侧壁内的通道隔离开的下安装空间;以及
导流部,该导流部被设置在所述基座外侧,并向所述排放通道引导所述处理气体,其中,所述导流部包括:
圆形引导部,其具有与所述基座同心的弧形,所述圆形引导部具有多个引导孔;以及
多个线形引导部,其连接至所述圆形引导部的两个侧部,并且分别被设置在所述基座的两个侧部上。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置,其中,所述上加热块是具有开口的上侧部的形状,并且所述下加热块是具有开口的下侧部的形状,并且
所述衬底处理装置包括:
上盖,其封盖所述上加热块的开口的上侧部以将所述上安装空间与外界隔离;以及
下盖,其封盖所述下加热块的开口的下侧部以将所述下安装空间与外界隔离。
4.如权利要求1或2所述的衬底处理装置,该衬底处理装置还包括设置在所述基座外侧的、围绕所述基座的喷嘴环,所述喷嘴环向上喷射惰性气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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