[发明专利]软性错误容忍电路系统

说明书

集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂层。热中子吸收剂层可为玻璃层或可包括塑模化合物。

技术领域

本揭露一般而言，是关于具有软性错误容忍力的已封装电路系统与集合体、以及形成此类电路系统与集合体的方法。

背景技术

社会逐渐依赖电脑及各式运算装置。再者，对数据存储、以及透过此类运算装置所使用电脑网络移送数据的使用度已急剧增加。如此，在数据丰富度不断提升的环境下，数据完整性的问题正不断在成长。不幸的是，数据完整性会受到数据移送或存储期间引进的软性错误所影响。

软性错误是以信号或数据形式呈现的错误。此类错误典型代表数据本身的错误，而非系统或运算装置的实体损坏。软性错误可在系统级出现，尤其是在数据移送期间，其中，系统内的杂讯变更数据的值。错误数据会送至内存，并且会在以后造成问题。在另一实施例中，软性错误可由阿伐粒子辐射造成，阿伐粒子辐射会撞击内存单元，并且使单元状态起变化。此类软性错误会改变程式里的指令，或者会使数据产生讹误。如此，软性错误会导致系统可靠度降低，或丢失信息。

尤其是，阿伐粒子辐射会诱发软性错误。如此，封装集成电路所使用的是没有阿伐粒子发射体的塑模化合物，例如：铀、钍、或硼-10。如果当作滤体(filer)的是硼，硼源包括少量或未包括硼-10。

发明内容

在第一方面中，集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂层。

在第二方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；将膜层沉积于集成电路上方，膜层具有至少50微米的厚度；以及将热中子吸收剂层置于膜层上方，热中子吸收剂层具有至少0.5％热中子吸收剂。

在第三方面中，集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂玻璃层。

在第四方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；将膜层沉积于集成电路上方，膜层具有至少50微米的厚度；以及将热中子吸收剂玻璃层置于膜层上方，热中子吸收剂玻璃层具有至少0.5％热中子吸收剂。

在第五方面中，集合体包括集成电路；置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层；以及置于膜层上方并包括至少0.5％热中子吸收剂的塑模化合物。

在第六方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；在集成电路上方形成膜层，膜层具有至少70微米的厚度；以及在膜层上方形成塑模化合物，塑模化合物包括至少0.5％热中子吸收剂。

在第七方面中，集合体包括集成电路；耦接至集成电路板的印刷电路板，印刷电路板包含热中子吸收剂纤维，热中子吸收剂纤维包括至少0.5％热中子吸收剂；以及置于集成电路与印刷电路板之间的晶粒附接化合物。

在第八方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；以及利用晶粒附接化合物将集成电路耦接至印刷电路板，印刷电路板包括至少0.5％热中子吸收剂。

在第九方面中，集合体包括集成电路；耦接至集成电路板的印刷电路板，印刷电路板包括无电式硼-镍涂层；以及置于集成电路与印刷电路板之间的晶粒附接化合物。

附图说明

所属领域技术人员参照附图，可更加了解本揭露，并且其许多特征及优点将显而易见。

图1包括例示性已封装电路系统的说明。

图2包括例示性集合体的说明。

图3包括用于制作集合体的例示性方法的方块流程图。

不同图式中所用的相同参考符号表示类似或等同的项目。