[发明专利]软性错误容忍电路系统

权利要求书

1.一种集合体，其包含：

集成电路；

置于该集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层；以及

置于该膜层上方并包含以重量计至少0.5％热中子吸收材料的热中子吸收剂层；

其中，该膜层无阿伐粒子发射体。

2.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层包括以重量计至少0.8％的该热中子吸收材料。

3.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收材料包括硼-10。

4.根据权利要求1所述的集合体，其中，该膜层厚度为至少60微米。

5.根据权利要求1所述的集合体，其中，该膜层包含选自由下列所组成群组的聚合物：聚酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚硅氧、酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰亚胺、聚氨基甲酸酯、聚烯、或其组合物。

6.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层具有至少70微米的厚度。

7.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层包含硼硅酸盐玻璃。

8.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层包含塑模化合物。

9.根据权利要求1所述的集合体，其更包含耦接至与该膜层对立的该集成电路的印刷电路板。

10.根据权利要求9所述的集合体，其中，该印刷电路板包括含以重量计至少0.5％的该热中子吸收材料的纤维。

11.根据权利要求9所述的集合体，其中，该印刷电路板包括无电式硼-镍涂层。

12.一种形成电子集合体的方法，该方法包含：

施配集成电路；

在该集成电路上方沉积膜层，该膜层具有至少50微米的厚度；以及

将热中子吸收剂层置于该膜层上方，该热中子吸收剂层包含以重量计至少0.5％热中子吸收材料；

其中，该膜层无阿伐粒子发射体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，该热中子吸收剂层包括热中子吸收剂玻璃层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，该热中子吸收剂层包括塑模化合物。

15.根据权利要求12所述的方法，其更包含将该集成电路耦接至印刷电路板。

16.一种集合体，其包含：

集成电路；

置于该集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层；以及

置于该膜层上方并包含以重量计至少0.5％热中子吸收材料的热中子吸收剂玻璃层；

其中，该膜层无阿伐粒子发射体。

17.根据权利要求16所述的集合体，其中，该热中子吸收材料包括硼-10。

18.根据权利要求16所述的集合体，其中，该膜层厚度为至少60微米。

19.根据权利要求16所述的集合体，其中，该热中子吸收剂玻璃层具有至少70微米的厚度。

20.根据权利要求16所述的集合体，其中，该热中子吸收剂玻璃层包含硼硅酸盐玻璃。

21.根据权利要求16所述的集合体，其更包含置于该热中子吸收剂玻璃层上方的塑模化合物，该塑模化合物包含以重量计至少0.5％的该热中子吸收材料。