[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括:

栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；

与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜位于所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；

与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；

在所述氧化物半导体膜上的第一绝缘膜；以及

在所述第一绝缘膜上并与所述第一绝缘膜接触且至少含有氮的第二绝缘膜，

其中，所述第一绝缘膜具有的厚度大于或等于10nm且小于或等于30nm，

其中，所述第一绝缘膜配置为保护所述氧化物半导体膜以防止从所述第二绝缘膜释放出的氮渗入所述氧化物半导体膜，

并且，通过加热从所述第二绝缘膜释放的氢分子的量低于5.0×10²¹分子/cm³。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜是致密的氧化物绝缘膜。

3.一种半导体装置，包括：

栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；

与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜位于所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；

与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；

在所述氧化物半导体膜上的第一绝缘膜；以及

在所述第一绝缘膜上并与所述第一绝缘膜接触且至少含有氮的第二绝缘膜，

其中所述第一绝缘膜是在25℃用0.5wt％的氢氟酸对其进行蚀刻的蚀刻速度小于或等于10nm/min的氧化物绝缘膜，

其中，所述第一绝缘膜配置为保护所述氧化物半导体膜以防止从所述第二绝缘膜释放出的氮渗入所述氧化物半导体膜，

并且，通过加热从所述第二绝缘膜释放的氢分子的量低于5.0×10²¹分子/cm³。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括与所述第二绝缘膜接触的有机树脂膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述有机树脂膜为丙烯酸膜。

6.一种半导体装置，包括：

栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；

与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜位于所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；

与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；

在所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上并与所述第一绝缘膜接触的第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上并与所述第二绝缘膜接触的第三绝缘膜；以及

在所述第三绝缘膜上并与所述第三绝缘膜接触且至少含有氮的第四绝缘膜,

其中，所述第一绝缘膜是使氧透过的绝缘膜，

所述第二绝缘膜含有比化学计量组成更高比例的氧，

所述第三绝缘膜配置为保护所述氧化物半导体膜以防止从所述第四绝缘膜释放出的氮渗入所述氧化物半导体膜，

并且，通过加热从所述第四绝缘膜释放的氢分子的量低于5.0×10²¹分子/cm³。

7.一种半导体装置，包括：

栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；

与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜位于所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；

在所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；

在所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的第一绝缘膜，该第一绝缘膜含有氧和硅；

在所述第一绝缘膜上并与所述第一绝缘膜接触的第二绝缘膜，该第二绝缘膜含有氧和硅；

在所述第二绝缘膜上并与所述第二绝缘膜接触的第三绝缘膜，该第三绝缘膜含有氧和硅；以及

在所述第三绝缘膜上并与所述第三绝缘膜接触且含有氮和硅的第四绝缘膜,

其中，所述第一绝缘膜是使氧透过的绝缘膜，

所述第二绝缘膜含有比化学计量组成更高比例的氧,

所述第三绝缘膜配置为保护所述氧化物半导体膜以防止从所述第四绝缘膜释放出的氮渗入所述氧化物半导体膜，

并且，通过加热从所述第四绝缘膜释放的氢分子的量低于5.0×10²¹分子/cm³。