[发明专利]打线装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201380034229.0 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN104395995B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 秋山真一;关根直希;中泽基树 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线装 半导体 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种使用毛细管进行打线的装置及半导体装置的制造方法。
背景技术
打线装置是例如用于利用较细的导线将基板的引线与半导体芯片的焊垫之间连接。打线是以如下方式进行。亦即,使导线与打线用工具一同向引线下降。最初为高速下降,当接近引线时成为低速。该低速下降称为第1搜索(1st搜索)。然后,以工具前端将导线按压于引线,一方面施加超音波振动一方面使两者接合进行第1接合(1st接合)。第1接合之后,提拉工具而使导线延伸出,一方面形成适当的环路一方面移动至焊垫的上方。当到达焊垫的上方时使工具下降。最初是以高速下降,当接近焊垫时成为低速。该低速下降为第2搜索(2nd搜索)。然后,以工具前端将导线按压于焊垫,一方面施加超音波振动一方面使两者接合进行第2接合(2nd接合)。于第2接合之后,一方面利用导线夹持器使导线停止移动一方面提拉工具而将导线于第2接合点处切断。反复进行上述操作,而将基板的多个引线与半导体芯片的多个焊垫之间连接。另外,于第1接合、第2接合时,也可进行适当的加热。另外,也可针对焊垫进行第1接合,针对引线进行第2接合。
如此,于打线中进行第1接合及第2接合该两种接合,但有时该第1接合或第2接合未正常进行。又,于第1接合不充分便欲转移至第2接合的环路形成的阶段等,导线有时会自引线剥离,且,即便第1接合正常,导线有时亦会在环路形成的中途切断。若将该等现象笼统地称为未连,则需要提前进行未连检测。未连检测中,向基被侧与工具的导线侧之间施加电压,或者通入电流,而判断其间的电阻成分、二极体成分、电容成分是否正常(例如,专利文献1、2)。
然而,作为打线的方式,已知有球形接合方式及楔形接合方式。
球形接合方式是使用能利用高电压火花等形成FAB(Free Air Ball,无空气球)的金线等,作为工具,使用前端具有围绕长度方向轴呈旋转对称形状的倒角部的毛细管。此处,为了不论导线之前端的方向如何均将FAB形成为无方向性的球形,而提出使用以包围导线前端的方式形成为环状的高电压放电电极(例如,专利文献3)。
楔形接合方式中,使用铝线等且未形成FAB,作为接合用工具,并非使用毛细管,而是使用前端具有导线导件及按压面的楔形接合用工具。楔形接合中,于工具前端,沿着导线导件使导线倾斜地向按压面侧伸出,且利用按压面将导线侧面按压于接合对象物进行接合。因此,形成为导线于工具之前端自按压面横向地伸出的形态,工具之前端未成为围绕其长度方向轴呈旋转对称的形状(例如,专利文献4)。
楔形接合用工具之前端未成为旋转对称形状,因此,根据焊垫、引线的配置,于原状态下导线导件的方向会与导线的连接方向不一致。因此,使保持工具的接合头成为旋转式(例如专利文献5),或者使保持接合对象物的接合台旋转。因此,提出使用前端为旋转对称形状的毛细管,以毛细管前端按压导线侧面进行接合的方法(例如专利文献6)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:专利第3335043号公报
专利文献2:特开2000-306940号公报
专利文献3:专利第2817314号公报
专利文献4:特开昭58-9332号公报
专利文献5:特开昭55-7415号公报
专利文献6:美国专利申请公开第2005/0167473号说明书
发明内容
发明所欲解决的问题
于楔形接合方式中,是使用延伸性小于金线的铝导线。因此,当第1接合点的打线正常进行之后,第2接合点的打线不充分且为未连,若直接夹紧导线而切断导线,则于第1接合点与第2接合点之间的环路处导线可能被切断。
关于导线的未连或切断,可藉由向接合对象物与导线之间赋予电信号且根据其回应来判断。然而,于对第2接合点的打线进行未连判断之前,若第1接合点与第2接合点之间的环路处的导线被切断,则接合对象物与导线之间未通电,该方面是与第2接合点的打线正常且导线于第2接合点正常切断时相同。因此,若于第2接合点的接合之后关于未连及切断进行判断,则会将第2接合点的接合未连且第1接合点与第2接合点之间的环路处的导线被切断的情况,误判断为第2接合点的接合正常且导线亦正常切断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造