[发明专利]MEMS寿命增加

权利要求书

1.一种操作数字可变电容器的方法，所述数字可变电容器具有多个MEMS装置，所述多个MEMS装置每个都具有切换元件，所述方法包括：

第一切换过程，其包括：

将所述多个MEMS装置的第一MEMS装置切换到第一电容状态，所述切换包括：将第一偏压施加到所述第一MEMS装置的第一电极以使所述第一MEMS装置的切换元件从电接地的第一位置移动到与所述第一MEMS装置的第二电极相邻的第二位置；和

将所述多个MEMS装置的第二MEMS装置切换到第二电容状态，所述切换包括：将第二偏压施加到所述第二MEMS装置的第一电极以使所述第二MEMS装置的切换元件从电接地的第三位置移动到与所述MEMS装置的第二电极相邻的第四位置，切换所述第二MEMS装置与切换所述第一MEMS装置同时发生；和

第二切换过程，其包括：

将所述第一MEMS装置切换到接地状态，所述切换包括移除所述第一偏压以允许所述切换元件返回到所述第一位置；和

在所述第二MEMS装置的第一电极上保持第二偏压以在所述第一MEMS装置返回到所述第一位置时使所述第二MEMS装置的切换元件保持在所述第四位置，其中，在所述第二MEMS装置的第一电极上保持第二偏压以通过减少周期之间的移动来增加所述第二MEMS装置的寿命。

2.权利要求1所述的方法，其中所述第一电容状态和所述第二电容状态是相同的。

3.权利要求2所述的方法，其中所述第一偏压和所述第二偏压具有相同的极性。

4.权利要求2所述的方法，其中所述第一偏压和所述第二偏压具有相反的极性。

5.权利要求1所述的方法，其中所述第一电容状态和所述第二电容状态是不同的。

6.权利要求5所述的方法，其中所述第一偏压和所述第二偏压具有相同的极性。

7.权利要求5所述的方法，其中所述第一偏压和所述第二偏压具有相反的极性。

8.权利要求1所述的方法，其中所述第一切换过程还包括：使第三MEMS装置保持在电接地的第五位置，所述保持与切换所述第一MEMS装置和切换所述第二MEMS装置同时发生。

9.权利要求8所述的方法，其中所述第二切换过程还包括通过以下步骤将所述第三MEMS装置切换到第三电容状态：将第三偏压施加到所述第三MEMS装置的第一电极以使所述第三MEMS装置的切换元件从所述第五位置移动到与所述第三MEMS装置的第二电极相邻的第六位置。

10.权利要求9所述的方法，其中所述第三电容状态和所述第一电容状态是不同的。

11.权利要求10所述的方法，其中所述第二电容状态和所述第三电容状态是相同的。

12.权利要求11所述的方法，其中所述第二偏压和所述第三偏压具有相反的极性。

13.一种操作数字可变电容器的方法，所述数字可变电容器具有多个MEMS装置，所述多个MEMS装置每个都具有切换元件，所述方法包括：

将第一偏压施加到第一电极以使每个切换元件都移动到与RF电极相邻的第一位置；

将第二偏压施加到第二电极以使每个切换元件都移动到与所述RF电极间隔开的第二位置；和

将第三偏压施加到所述第一电极以使并非全部的切换元件移动到与所述RF电极相邻的第一位置，其中，施加第三偏压以通过减少周期之间的移动来增加维持在第二位置中的切换元件的寿命。

14.权利要求13所述的方法，其中所述第一偏压大于所述第三偏压。

15.权利要求14所述的方法，其中，所述数字可变电容器在全部切换元件在所述第一位置时具有第一电容，在全部切换元件在所述第二位置时具有第二电容，和在施加所述第三偏压时具有第三电容，并且其中，所述第一电容大于所述第二电容和所述第三电容。

16.权利要求15所述的方法，其还包括在施加所述第二偏压时移除所述第一偏压。

17.权利要求16所述的方法，其还包括在施加所述第三偏压时移除所述第二偏压。