[发明专利]光半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种键合(bonding)有发光二极管的光半导体装置。

背景技术

作为搭载有LED(发光二极管：Light Emitting Diode)的光半导体装置，已知有专利文献1中公开的光半导体装置。专利文献1所述的光半导体装置是：将蓝色LED键合在成型体上，以围住蓝色LED的方式使成型体立起而作为反射从蓝色LED发出的光的反射板，通过在其中填充含有荧光体的透明密封部来密封蓝色LED。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/015426号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

近年来，这样的光半导体装置已经开始用作照明及路灯等的LED照明。但是，如果尝试实际使用，则LED照明的照度在比LED的保证时间更短的时间内下降。这起因于在光半导体装置的电极上形成有镀银层，而该镀银层发生了变色。也就是说，由于在透明密封部一般使用气体或水分的透过性高的树脂，所以在透过透明密封部的气体或水分的作用下，镀银层发生腐蚀而变色。特别是，如果通过硫化氢气体而使镀银层硫化，则电极变成黒色，由此使照度的下降显著地表现出来。

此外，以往使用热塑性树脂作为反射板，与镀银层的硫化速度相比，反射板的黄变速度更快，所以镀银层的硫化导致的照度下降并不显眼。但是，最近，由于使用热固性树脂作为反射板，与镀银层的硫化速度相比，反射板的黄变速度减慢，所以镀银层的硫化导致的照度下降引人注目。而且如果使LED照明大功率化，则蓝色LED的发热温度提高，从而使镀银层的温度上升，因此促进镀银层的硫化。

另外，鉴于这样的与镀银层的硫化相伴的问题，还有使LED照明中使用的光半导体装置的耐硫化氢气体的评价标准化的动向。

于是，本发明人进行了潜心的研究，结果得到了以下的见解：不改进透明密封部的气体透过性而用粘土膜被覆镀银层，由此能够有效地抑制镀银层的硫化。

另外，本发明人基于这样的见解而制造了光半导体装置，结果发现了以下的课题：由于在镀银层与透明密封部之间夹着粘土膜，所以从抑制透明密封部从光半导体装置上剥离的观点出发，有使光半导体装置的构成最优化的余地。

于是，本发明的目的是提供一种能够在抑制镀银层的硫化的同时，还抑制透明密封部的剥离的光半导体装置。

用于解决课题的手段

本发明的一个方案涉及一种光半导体装置，其具有：表面形成有镀银层的基板、键合在镀银层上的发光二极管、围住发光二极管的光反射部、填充于光反射部而将发光二极管密封的透明密封部、以及被覆镀银层的粘土膜，其中，透明密封部与光反射部接合在一起。

根据本发明的一个方案所涉及的光半导体装置，由于用粘土膜被覆镀银层，因而能够抑制镀银层的硫化。由此，能够大幅度地抑制由镀银层的黒色化造成的光半导体装置的照度下降。而且通过用粘土膜被覆镀银层，尽管在透明密封部与镀银层之间夹着粘土膜，但透明密封部与光反射部接合在一起，因而能够抑制透明密封部的剥离。

此外，本发明的一个方案可以设计为：光反射部具备内周面，所述内周面以围住发光二极管的方式从基板上立起，从而形成收容发光二极管的内侧空间；粘土膜被覆内周面的一部分；透明密封部与内周面的没有被粘土膜被覆的非被覆部接合在一起。

粘土膜对镀银层的被覆例如可采用如下的方法来进行：用溶剂稀释粘土而生成粘土稀释液，将该粘土稀释液滴加在或散布在光反射部的内侧空间，然后使溶剂干燥。但是，由于光反射部的内侧空间小，所以困难的是通过调节粘土稀释液的滴加量或散布量而将粘土稀释液只滴加在或散布在镀银层上。于是，通过容许粘土膜被覆光反射部的内周面，便能够容易进行粘土膜对镀银层的被覆。而且即使在此情况下，由于透明密封部与光反射部的内周面的非被覆部接合在一起，因而能够抑制透明密封部的剥离。

此外，本发明的一个方案可以设计为：发光二极管为发出蓝色光的蓝色发光二极管。

光反射部的内周面反射从发光二极管发出的光而从光半导体装置输出，但粘土膜具有使蓝色光的频带增幅的作用，因此通过将粘土膜形成在光反射部的内周面，能够增大从蓝色发光二极管发出的蓝色光的反射效率。

此外，本发明的一个方案可以设计为：非被覆部的面积为内周面的面积的1％以上。这样，通过将非被覆部的面积规定为光反射部的内周面的1％以上，能够确保透光性树脂部和光反射部的接合强度。