[发明专利]碳化硅半导体器件

权利要求书

1.一种碳化硅半导体器件，包括：

集电极层，所述集电极层由具有第一导电类型的碳化硅制成；以及

开关元件，所述开关元件设置在所述集电极层上，所述开关元件包括用于控制具有第二导电类型的沟道的结型栅极，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第二导电类型是n型。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其中，所述开关元件包括：

半导体层，所述半导体层具有第一层、第二层和第三层，所述第一层设置在所述集电极层上并且具有所述第二导电类型，所述第二层设置在所述第一层上并且具有所述第一导电类型，所述第三层设置在所述第二层上并且具有所述第二导电类型，所述半导体层设置有沟槽，所述沟槽具有穿透所述第三层和所述第二层并且到达所述第一层的侧壁；

沟道层，所述沟道层在所述沟槽的所述侧壁上接触所述第一层至第三层中的每一个并且具有所述第二导电类型；

作为所述结型栅极的栅极层，所述栅极层将所述沟道层夹在所述栅极层本身和所述第二层之间并且具有所述第一导电类型；以及

栅电极，所述栅电极设置在所述栅极层上。

4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体器件，其中，所述沟槽具有锥形形状。

5.根据权利要求3或4所述的碳化硅半导体器件，进一步包括发射极电极，所述发射极电极连接到所述第三层和所述沟道层中的至少一个并且与所述栅极层分开。

6.根据权利要求5所述的碳化硅半导体器件，其中，所述发射极电极连接到所述第二层。