[发明专利]HEMT器件及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率场效应晶体管HEMT，具有衬底、位于所述衬底上的沟道层和位于所述沟道层上的势垒层，所述高电子迁移率场效应晶体管包括：

位于所述势垒层上且与所述势垒层接触的应力诱发层，其中所述应力诱发层改变栅极和漏极之间的漂移区域中的所述势垒层中的压电效应，并且其中所述应力诱发层从所述栅极延伸到所述漏极；

其中所述势垒层中的压电效应形成了在所述栅极和所述漏极之间的所述漂移区域中具有非均匀横向分布的二维电子气2DEG；

其中所述应力诱发层包括具有多个不同尺寸的开口的材料，所述多个不同尺寸的开口的尺寸在从所述栅极朝向所述漏极的方向上减小或增大；

其中所述应力诱发层中的所述多个不同尺寸的开口位于所述栅极与所述漏极之间；并且

其中所述应力诱发层中的所述多个不同尺寸的开口延伸穿过所述应力诱发层到所述势垒层。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率场效应晶体管：

其中所述多个不同尺寸的开口的尺寸在从所述栅极朝向所述漏极的方向上减小；并且

其中在所述漂移区域中所述2DEG的密度在从所述栅极朝向所述漏极的方向上增大。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率场效应晶体管，其中，所述多个不同尺寸的开口的尺寸在从所述栅极朝向所述漏极的方向上增大。

4.一种高电子迁移率场效应晶体管HEMT，具有衬底、位于所述衬底上的沟道层和位于所述沟道层上的势垒层，所述高电子迁移率场效应晶体管包括：

位于所述势垒层上且与所述势垒层接触的应力诱发层，所述应力诱发层改变栅极和漏极之间的漂移区域中的所述势垒层中的压电效应，并且所述应力诱发层从所述栅极延伸到所述漏极下方；

其中二维电子气2DEG在所述栅极和所述漏极之间的所述漂移区域中具有非均匀横向分布；

其中所述应力诱发层包括具有多个不同尺寸的开口的材料，所述多个不同尺寸的开口的尺寸从所述栅极朝向所述漏极减小或增大；

其中所述应力诱发层中的所述多个不同尺寸的开口处于所述栅极与所述漏极之间。

5.一种制作高电子迁移率场效应晶体管HEMT的方法，所述方法包括：

在衬底上形成沟道层；

在所述沟道层上形成势垒层；以及

在所述势垒层上形成应力诱发层，所述应力诱发层改变栅极和漏极之间的漂移区域中的所述势垒层中的压电效应；

其中所述势垒层中的压电效应形成了在所述栅极和所述漏极之间的所述漂移区域中具有非均匀横向分布的二维电子气2DEG；

其中所述应力诱发层包括具有多个不同尺寸的开口的材料，所述多个不同尺寸的开口的尺寸在从所述栅极朝向所述漏极的方向上减小或增大；

其中所述应力诱发层中的所述多个不同尺寸的开口位于所述栅极与所述漏极之间；并且

其中所述应力诱发层中的所述多个不同尺寸的开口延伸穿过所述应力诱发层到所述势垒层。

6.如权利要求5所述的方法，其中：

所述多个不同尺寸的开口的尺寸在从所述栅极朝向所述漏极的方向上减小；并且

在所述漂移区域中所述2DEG的密度在从所述栅极朝向所述漏极的方向上增大。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述多个不同尺寸的开口的尺寸在从所述栅极朝向所述漏极的方向上增大。