[发明专利]使用各向异性导电材料的连接方法及各向异性导电接合体

说明书

技术领域

本发明涉及使用各向异性导电材料的连接方法及各向异性导电接合体。

背景技术

目前，作为将电子零件与基板连接的手段，使用将分散有导电性粒子的热固化性树脂涂布于剥离膜上的带状的连接材料(例如，各向异性导电膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)等各向异性导电材料)。

例如，该各向异性导电材料以将挠性印刷基板(FPC)或IC芯片的端子与形成于LCD面板的玻璃基板上的(ITO(Indium Tin Oxide)电极连接的情况为主，被用于与将各种端子彼此粘接并同时电连接的情况。

近年来，电子零件正持续更小型化、集成化。因此，上述电子零件具有的电极，其彼此相邻的电极间的间距正持续变得更小(微细间距)。作为微细间距的配线，为了对应高电压及高电流，使用具有高硬度的配线(例如，Al、Cu、非结晶ITO、IZO等)。但是，在使用高硬度的配线的情况下，需要在上述各向异性导电材料中使用高硬度的导电性粒子。于是，在如目前那样各种端子仅由Au形成的情况下，因为Au为软金属，所以上述导电性粒子会被埋没于上述端子中，不能充分进行上述导电性粒子的崩塌，从各向异性导电连接的初期开始连接电阻值就变高，存在连接可靠性降低这样的问题。另一方面，如果提高上述端子的硬度，则上述导电性粒子的崩塌变得过剩，因此，各向异性导电连接的期间的粒子排斥变大，存在连接可靠性降低这样的问题。

作为防止各种端子埋没的技术，公开有一种将形成于第一基板的第一金制突起状电极和形成于第二基板的第二金制突起状电极粘着的电子器件，与上述第二金制突起状电极的硬度相比，上述第一金制突起状电极的硬度为形成较高值者(参照专利文献1)。另外，作为上述第一金制突起状电极，公开有在硬度比金高的金属的接合面侧或全表面上被覆金的电极。

但是，该情况下，因直接粘着上述第一金制突起状电极和上述第二金制突起状电极，所以不能预见使用上述各向异性导电材料，依然残留导电性粒子会埋没于端子，导电性粒子的崩塌不能充分进行，从各向异性导电连接的初期连接电阻值就变高，连接可靠性会降低的问题，及粒子排斥变大，各向异性导电连接的期间的连接可靠性会降低的问题。

因此，在微细间距的各向异性导电连接中，目前正寻求提供使用导电性粒子的崩塌会良好地进行、从各向异性导电连接的初期连接电阻值就低、且各向异性导电连接的期间的导电性粒子的粒子排斥变小、连接可靠性提高的各向异性导电材料的连接方法及各向异性导电接合体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开第2004-193161号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明以解决现有的所述诸多问题，实现以下目的为课题。即，本发明的目的在于，提供使用各向异性导电材料的连接方法及各向异性导电接合体，在微细间距的各向异性导电连接中，导电性粒子的崩塌会良好地进行，从各向异性导电连接的初期连接电阻值就低，且各向异性导电连接的期间的导电性粒子的粒子排斥变小，连接可靠性提高。

作为用于解决上述课题的手段，如下。即：

<1>一种各向异性导电接合体，其为经由各向异性导电材料将第一电子零件的端子和第二电子零件的端子连接的各向异性导电接合体，其特征在于，

所述第一电子零件的端子具有硬金属部及比所述硬金属部柔软的软金属部，

所述各向异性导电材料具有导电性粒子，

所述软金属部与所述导电性粒子连接，

所述硬金属部与所述第一电子零件的配线连接，

所述硬金属部的硬度为Hv100～Hv650，

所述软金属部的硬度为Hv10～Hv100，

所述导电性粒子的硬度为5,880N/mm²～26,460N/mm²。

<2>根据所述<1>所述的各向异性导电接合体，其中，

硬金属部为平板状，且连接前的所述硬金属部的平均厚度为3.0μm～12.0μm，

软金属部为平板状，且连接前的所述软金属部的平均厚度为0.1μm～9.0μm。

<3>根据所述<1>或<2>所述的各向异性导电接合体，其中，

连接前的导电性粒子的个数平均粒径为3.0μm～10.0μm。

<4>根据所述<2>或<3>所述的各向异性导电接合体，其中，