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公布日期
2020-02-14 公布专利
2020-02-11 公布专利
2020-02-07 公布专利
2020-02-04 公布专利
2020-01-31 公布专利
2020-01-24 公布专利
2020-01-21 公布专利
2020-01-17 公布专利
2020-01-14 公布专利
2020-01-10 公布专利
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使用各向异性导电材料的连接方法及各向异性导电接合体有效

申请号: CN201380012602.2 文献下载
申请日: 2013-02-28 公开/公告日: 2017-04-12
公开/公告号: CN104145329B 主分类号: H01L21/60
申请/专利权人: 迪睿合电子材料有限公司
发明/设计人: 工藤克哉
分类号: H01L21/60;H05K3/22
搜索关键词: 使用 各向异性 导电 材料 连接 方法 接合
 
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【权利要求书】:

1.一种各向异性导电接合体,其为经由各向异性导电材料将第一电子零件的端子和第二电子零件的端子连接的各向异性导电接合体,其特征在于,

所述第一电子零件的端子具有硬金属部及比所述硬金属部柔软的软金属部,

所述各向异性导电材料具有导电性粒子,

所述软金属部与所述导电性粒子连接,

所述硬金属部与所述第一电子零件的配线连接,

所述硬金属部的硬度为Hv100~Hv650,

所述软金属部的硬度为Hv10~Hv100,

所述导电性粒子的硬度为5,880N/mm2~26,460N/mm2

2.根据权利要求1所述的各向异性导电接合体,其中,

硬金属部为平板状,且连接前的所述硬金属部的平均厚度为3.0μm~12.0μm,

软金属部为平板状,且连接前的所述软金属部的平均厚度为0.1μm~9.0μm。

3.根据权利要求1或2所述的各向异性导电接合体,其中,

连接前的导电性粒子的个数平均粒径为3.0μm~10.0μm。

4.根据权利要求2或3所述的各向异性导电接合体,其中,

连接前的平板状的软金属部的平均厚度[A(μm)]和连接前的导电性粒子的个数平均粒径[D(μm)]之比(A/D)为0.02~1.00。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的各向异性导电接合体,其中,

硬金属部的硬度(H)和软金属部的硬度(S)之差(H-S)为Hv40以上。

6.根据权利要求2~5中任一项所述的各向异性导电接合体,其中,

连接前的平板状的软金属部的平均厚度[A(μm)]和连接前的导电性粒子的个数平均粒径[D(μm)]之比(A/D)为0.07~0.70,

硬金属部的硬度(H)和软金属部的硬度(S)之差(H-S)为Hv50~Hv350。

7.一种连接方法,其为将第一电子零件的端子和第二电子零件的端子进行各向异性导电连接的连接方法,其特征在于,

所述第一电子零件的端子具有硬金属部及比所述硬金属部柔软的软金属部,

所述硬金属部与所述第一电子零件的配线连接,

该方法包含:

配置工序,在所述第一电子零件的端子及所述第二电子零件的端子的任一方上配置含有导电性粒子的各向异性导电材料;

载置工序,在所述各向异性导电材料上载置另一所述电子零件:

加热挤压工序,以所述软金属部和所述导电性粒子连接的方式对所述第一电子零件及所述第二电子零件的任一方进行加热及挤压,

所述硬金属部的硬度为Hv100~Hv650,

所述软金属部的硬度为Hv10~Hv100,

所述导电性粒子的硬度为5,880N/mm2~26,460N/mm2

8.根据权利要求7所述的连接方法,其中,

硬金属部为平板状,且连接前的所述硬金属部的平均厚度为3.0μm~12.0μm,

软金属部为平板状,且连接前的所述软金属部的平均厚度为0.1μm~9.0μm。

9.根据权利要求7或8所述的连接方法,其中,

连接前的导电性粒子的个数平均粒径为3.0μm~10.0μm。

10.根据权利要求8或9所述的连接方法,其中,

连接前的导电性粒子的个数平均粒径[D(μm)]和连接前的平板状的软金属部的平均厚度[A(μm)]之比(A/D)为0.02~1.00。

11.根据权利要求7~10中任一项所述的连接方法,其中,

硬金属部的硬度(H)和软金属部的硬度(S)之差(H-S)为Hv40以上。

12.根据权利要求8~11中任一项所述的连接方法,其中,

连接前的平板状的软金属部的平均厚度[A(μm)]和连接前的导电性粒子的个数平均粒径[D(μm)]之比(A/D)为0.07~0.70,

硬金属部的硬度(H)和软金属部的硬度(S)之差(H-S)为Hv50~Hv350。

13.一种各向异性导电接合体,其特征在于,通过权利要求7~12中任一项所述的连接方法制造。

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