[发明专利]具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法、使用了粘合剂片材的布线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及粘合剂片材的制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及制造在特定位置配置有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的方法。

背景技术

在电子材料中，在将各种部件、例如半导体芯片等安装于布线基板上时，多使用热固化型的粘合剂，已知有模片键合膜(die bondingfilm)(DAF)和非导电膜(NCF)。

近年来，作为在布线基板上安装半导体芯片的方法，逐渐使用倒装芯片安装(flip chip assembly)。

在以往的倒装芯片安装中，在将半导体芯片在布线基板上进行了倒装芯片安装后，在半导体芯片的周围涂布树脂，利用毛细管现象在半导体芯片下侧的间隙中填充液态密封树脂，发挥作为粘合剂的功能(专利文献1)。

另一方面，开发有如下先密封技术：在安装半导体芯片之前在布线基板之上预先形成未固化的密封树脂，将半导体芯片的凸起(bump)压入到密封树脂中，由此，对半导体芯片进行倒装芯片安装并密封(专利文献2)。

另外，提出有使用掩模将树脂膜粘贴到布线基板上的方法等(专利文献3)。

另一方面，若使用在特定位置配置有单片化的粘合剂的粘合剂片材，则通过进行粘合剂片材与布线基板的位置对齐、并从粘合剂片材上将粘合剂转印到布线基板上，能够制造在特定位置配置有粘合剂的布线基板，作为这样的在特定位置配置有单片化的粘合剂的粘合剂片材的制造方法，通常为使用半切割的方法。(专利文献4、5、6)。

专利文献1:日本特开平11－256012号公报

专利文献2:日本特开2011－207998号公报

专利文献3:日本特开2010－251346号公报

专利文献4:日本特开2009－84442号公报

专利文献5:日本特开2010－45070号公报

专利文献6:日本特开2008－282945号公报

发明内容

在专利文献1和专利文献2所公开的先密封技术中，通过在安装半导体芯片之前在布线基板上涂布液态树脂、或者粘贴未固化的粘合剂膜而在布线基板上形成未固化的粘合剂。此时，存在从外界气体向液态树脂或粘合剂中卷入气泡的情况。若在树脂中产生气泡，则会成为连接不良、绝缘短路的原因。另外，在使用粘合剂膜的情况下，需要以高的位置精度粘贴粘合剂膜的技术。

关于专利文献3所公开的使用掩模的方法，由于能够通过改变掩模设计而应对布线基板的设计变更等，所以是通用性优异的方法，但是存在如下课题：由于在掩模所覆盖的部分和掩模没有覆盖的部分之间产生层差、或掩模本身产生变形等原因，而产生粘贴位置的变动。另外，若增大掩模，则会产生掩模本身的加工误差、弯曲，因此不适于大量生产单一设计的方式。

关于专利文献4、5、6所公开的通常的半切割的方法，以粘合剂层具有韧性、且单独的粘合剂层能够承受拉伸、搬运等的材料为前提进行设计，但无法适用于粘合剂层脆弱、无法单独承受拉伸、搬运等的材料。

鉴于上述课题，本发明涉及在特定位置配置有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法。特别是提供一种对粘合剂层脆弱的粘合剂片材的制造有效的方法。

为了解决上述课题，本发明的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法具有以下构成。即，

一种粘合剂片材的制造方法，该粘合剂片材在支承膜(a)上具有单片化的粘合剂层(b)，该制造方法按如下顺序具有以下工序：

工序A：对于按顺序具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的粘合剂膜，通过局部半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的工序；

工序B：仅剥离上述粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)的工序；

工序C：在上述粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带的工序；以及

工序D：将上述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序。

在此，“不需要部分”是指被剥离而最终不会留在粘合剂片材上的部分。

本发明的使用粘合剂片材的布线基板的制造方法具有以下构成。即，

一种布线基板的制造方法，将通过上述制造方法而得到的粘合剂片材的粘合剂层(b)侧的面、与布线基板的布线侧的面进行位置对齐，通过真空层压或真空压制而制成粘合剂片材与布线基板的层合体，然后将粘合剂片材的支承膜(a)除去。

本发明的半导体装置的制造方法具有以下构成。即，

一种半导体装置的制造方法，在通过上述布线基板的制造方法而得到的布线基板上安装半导体元件。

本发明的粘合剂片材的制造装置具有以下构成。即，