[实用新型]一种集成共模电感的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成共模电感的封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

EMI滤波器主要使用共模电感器，复杂的EMI（电磁干扰）环境、高集成化、高功率密度，决定了EMI滤波器低损耗、模块化、扁平化是发展前景。而传统绕线共模电感包括导磁体和漆包线线圈，导磁体呈圆柱形、工字形、环形等，漆包线线圈绕制于导磁体的外面形成线圈，常用工业标准0805和0603尺寸，因此传统绕线共模电感存在体积大、形状难于实现扁平等缺点，影响了EMI滤波器的进一步发展。

传统绕线共模电感为分立器件，其线圈通常是以人工方式绕制在导磁体上，该制造工艺无法保证产品性能参数的一致性；同时共模电感需要的两组线圈存在的差异，可能导致高频下共模电感损耗较大，降低了EMI滤波器的性能。

发明内容

承上所述，本实用新型的目的在于克服上述传统共模电感的不足，提供一种体积小、呈扁平状、性能参数一致性的集成共模电感的封装结构，以降低高频下共模电感损耗，提高EMI滤波器的性能。

本实用新型的目的是这样实现的：

一种集成共模电感的封装结构，包括平面状的电感线圈，所述电感线圈的线宽小于线距，所述电感线圈包括上下分布的上层电感线圈和下层电感线圈，

在所述上层电感线圈的内端口和外端口处分别设置与上层电感线圈垂直向上连接的上层金属柱，所述上层金属柱的端面设置金属柱保护层；

在所述下层电感线圈的内端口和外端口处分别设置与下层电感线圈垂直连接的下层金属柱，所述下层金属柱的垂直方向与上层金属柱的垂直方向相同或相反，所述下层金属柱的端面设置金属柱保护层；

所述上层电感线圈和下层电感线圈的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分。

可选地，所述上层电感线圈和下层电感线圈均呈螺旋状。

可选地，所述下层电感线圈的厚度与上层电感线圈的厚度相等。

可选地，所述下层电感线圈与上层电感线圈紧邻分布。

可选地，所述下层电感线圈与上层电感线圈之间设置介电层。

可选地，所述金属柱保护层的表面设置焊球。

可选地，所述塑封层包括至少两层以上。

可选地，所述上层电感线圈和上层金属柱塑封于一层塑封层内，所述下层电感线圈和下层金属柱塑封于另一层塑封层内。

可选地，所述下层金属柱垂直下层电感线圈向上，所述上层电感线圈、上层金属柱和下层金属柱塑封于一层塑封层内，所述下层电感线圈塑封于另一层塑封层内。

本实用新型一种集成共模电感的封装结构采用半导体工艺和塑封工艺完成，能够大幅度减小共模电感的尺寸，并使集成共模电感的性能参数保证一致性。

本实用新型的有益效果是：

由于采取半导体工艺，大幅度减小了共模电感的尺寸，结合塑封工艺形成的扁平形状，有助于提高EMI滤波器的集成度；在制作过程中避免了人为因素的影响，能够使集成共模电感的性能参数保证一致性，降低了高频下共模电感损耗，提高了EMI滤波器的性能。

附图说明

图1为本实用新型一种集成共模电感的封装结构的实施例的示意图；

图2为图1实施例一的A-A剖面的放大的示意图；

图3为图1实施例二的A-A剖面的放大的示意图；

图4为图1实施例三的A-A剖面的放大的示意图；

图5为图1实施例三的A-A剖面的放大的示意图；

图中：

电感线圈100

上层电感线圈110

下层电感线圈120

上层金属柱210

下层金属柱220

塑封层300

上层塑封层310

下层塑封层320

金属柱保护层410

金属柱保护层420

焊球510、520

介电层600。

具体实施方式