[实用新型]一种二极管封装结构有效
申请号: | 201320762266.0 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN203644752U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 张子岳;黄正信;刘家宾 | 申请(专利权)人: | 丽智电子(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215316 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及了一种二极管封装结构,属于二极管封装技术领域。
背景技术
目前市场上采用塑封之二极管封装技术为以铜支架或PCB当作载体以固晶、焊线(或是固晶焊接的方式)、模压技术进行封装再经电镀及冲压工艺完成二极管封装。
该封装技术上其PIN脚焊接面积较小且对于PIN脚的平整度要求较高,若成型时PIN脚不平整,客户SMT打件时易造成焊接空焊、虚焊、假焊等质量问题并影响SMT贴片机效率。
在此市场所采用的二极管封装技术上其产品封装后成品高度较高,对于客户的设计空间占用较多较不适合于小型化产品的设计需求,导致客户成品组装的厚度无法变薄及原材料的耗用较多相对使得组装成本的提高。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种二极管封装结构,有利于提高产品的焊接质量,减少组件所占用空间,更适合客户小型化产的的设计需求及降低客户的组装成本。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:
一种二极管封装结构,包括基板,所述基板的上表面设置有第一银导体层和第二银导体层,所述第一银导体层的上表面设置有二极管芯片,所述二极管芯片通过焊线与所述第二银导体层连接;所述第一银导体层和第二银导体层之间及上方均设置有用于保护二极管结构的环氧树脂;所述基板与环氧树脂的两侧均包裹有分别与所述第一银导体层和第二银导体层相连接的第三银导体层,所述第三银导体层外还包裹有端电极。
前述的一种二极管封装结构,其特征在于:所述环氧树脂的上表面还设置有防焊保护层。
前述的一种二极管封装结构,其特征在于:所述基板为陶瓷材质。
前述的一种二极管封装结构,其特征在于:所述端电极的焊接面积为1.2mm2-1.4mm2。
前述的一种二极管封装结构,其特征在于:该封装好的二极管的高度为0.8mm-0.9mm。
本实用新型的有益效果是:
1、采用本实用新型的二极管封装结构的产品为贴片形式,可利于客户
SMT打件的效率提升;
2、本实用新型的二极管封装结构的端电极采用银导体涂布后镀镍镀锡来作为产品焊接用电极,可焊接面积大,且不易产生空焊、虚焊、假焊等品质问题,降低客户生产成本。
3、采用本实用新型的二极管封装结构的产品厚度降低,减少组件所占用空间,适合客户小型化轻薄型产品的设计需求,减少客户的产品设计成本及原物料用量。
附图说明
图1是本实用新型一种二极管封装结构的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图,对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示,一种二极管封装结构,包括基板1,该基板1为陶瓷材质,所述基板1的上表面设置有第一银导体层2和第二银导体层3,进行导体高温烧结,所述第一银导体层2的上表面设置有二极管芯片4,所述二极管芯片4通过焊线5与所述第二银导体层3连接,取代了现有的以铜支架承载芯片的方式;所述第一银导体层2和第二银导体层3之间及上方均设置有用于保护二极管结构的环氧树脂7,使其覆盖整个二极管芯片4和第一银导体层2、第二银导体层3并进行固化;所述基板1与环氧树脂7的两侧均包裹有分别与所述第一银导体层2和第二银导体层3相连接的第三银导体层6,所述第三银导体层6外还包裹有端电极8。
该二极管封装结构的端电极采用银导体涂布后镀镍镀锡来做为产品焊接用电极,可焊接面积大,且不易产生空焊、虚焊、假焊等品质问题,降低客户生产成本,可利于客户
SMT打件的效率提升。
所述环氧树脂7的上表面还设置有防焊保护层9,在保护层9上印刷有字码等标示。所述端电极8的焊接面积为1.2mm2-1.4mm2,可焊接面积大,且不易产生空焊、虚焊、假焊等品质问题,降低客户生产成本。
该封装好的二极管的高度为0.8mm-0.9mm,减少组件所占用空间,适合客户小型化轻薄型产品的设计需求,减少客户的产品设计成本及原物料用量。
综上所述,本实用新型提供的一种二极管封装结构,有利于提高产品的焊接质量,减少组件所占用空间,更适合客户小型化产的的设计需求及降低客户的组装成本。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。
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