[实用新型]一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种感应圈,具体涉及一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈。

背景技术

碳化硅生长过程中需要2200度以上的高温，并且要求温度要满足一定的梯度，目前PVT法多用感应加热实现，线圈采用单股矩形铜管弯制而成，可以实现快速加热。一般的大尺寸感应加热线圈温场不够细分，水路焊点较多，线圈间隙并不均匀，难以生长高品质大尺寸的碳化硅晶体。

实用新型内容

为解决上述问题,本实用新型提供一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，包括线圈1和水路接头2；所述线圈1为横截面是矩形的多层螺旋盘管状；所述水路接头2有两个分别焊接在所述线圈1两端的伸出部分。

进一步，所述线圈1横截面矩形的长宽比例1:2，所述线圈1横截面矩形的宽边与坩埚的外表面平行；所述线圈1层与层之间的间距为5mm；所述水路接头2为S形状。

本实用新型的有益效果是：提供一种可以生长高品质大尺寸的碳化硅晶体。

附图说明

图1为本实用新型整体结构示意图；

图2为传统线圈结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、线圈，2、水路接头，3、焊点。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，包括线圈1和水路接头2；大尺寸碳化硅晶体尺寸在4寸到6寸之间;所述线圈1为横截面是矩形的多层螺旋盘管状；所述水路接头2有两个分别焊接在所述线圈1两端的伸出部分，所述水路接头2引入温度控制在28摄氏度到32摄氏度范围内的温水进入线圈1内；所述线圈1横截面矩形的长宽比例1:2，线圈1层与层之间的间距为5mm；如图2所示，传统感应线圈横截面矩形的长正对坩埚外表面，本实用新型所述大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈1横截面矩形的宽边与坩埚的外表面平行，这样可以达到当总高度H不变时线圈1的匝数增加了，使内部温场更加均匀；所述水路接头2为S形状，与传统感应线圈的水路接头相比比减少了焊点3和水阻，使得加热时温场分布均匀，坩埚移动时内部温场变化连续并且均匀平滑。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。