[实用新型]一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路

权利要求书

1.一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，包括：上位功率管M₁驱动电路和下位功率管M₂驱动电路，其特征是，

上位功率管M₁驱动电路包括：自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路依次串联连接；所述上位负压生成线路串接在上位推挽驱动线路的限流电阻与上位功率管M₁的栅极之间；

下位功率管M₂驱动电路包括：低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路依次串联连接；所述下位负压生成线路串接在下位推挽驱动线路的限流电阻与下位功率管M₂的栅极之间；

所述上位负压生成线路或者下位负压生成线路中的电容在功率管导通时充电，功率管关断时放电。

2.如权利要求1所述的一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述自举供电线路包括二极管D₉和电容C₁₄并联连接。

3.如权利要求1所述的一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述上位负压生成线路包括：二极管D₁₂、电阻R₁₂和稳压二极管D₁₀的串联支路与电容C₁₅并联连接。

4.如权利要求1所述的一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述下位负压生成线路包括：二极管D₁₃、电阻R₁₃和稳压二极管D₁₁的串联支路与电容C₁₆并联连接。

5.如权利要求1所述的一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，下位功率管M₂导通时低压直流稳压源为下位负压生成线路中的电容充电。

6.如权利要求1所述的一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，上位功率管M₁导通时自举供电线路中电容所储存的电量为上位负压生成线路中的电容充电。