[实用新型]阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS有效
| 申请号： | 201320590140.X | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN203481243U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 聂卫东;朱光荣;易法友 | 申请（专利权）人： | 无锡市晶源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市无锡国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阶梯 氧化 有源 漂移 结构 ldmos | ||
1.一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，包括淡掺杂的硅基材料、N阱、漂移区掺杂、阶梯氧化层、多晶、栅极氧化层、P型体区内部的浓N型、P型体区、P型体区内部的浓P型、浓N型、场氧化层；所述淡掺杂的硅基材料为最底层基础；淡掺杂的硅基材料的上层为N阱；N阱的上层包括多晶构成LDMOS的栅极，N阱、漂移区掺杂和浓N型构成LDMOS的漏极，P型的体区构成LDMOS的沟道区，P型体区内部的浓N型构成LDMOS的源极；P型体区内部的浓P型与P型体区掺杂，构成LDMOS的衬底端；其特征在于：所述栅极氧化层设置在多晶与P型体区之间，所述阶梯氧化层设置在多晶与LDMOS的漏极之间，阶梯氧化层的厚度厚于栅极氧化层，且阶梯氧化层与所述多晶构成的LDMOS的栅极自对准。
2.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述阶梯氧化层和栅极氧化层均为二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述阶梯氧化层的厚度是所述栅极氧化层厚度的1.3-10倍。
4.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述栅极氧化层的厚度为0.01μm -0.04μm。
5.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述阶梯氧化层的厚度为0.04μm-0.2μm。
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