[实用新型]提高封装可靠性的铝垫结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，具体涉及一种提高封装可靠性的铝垫结构。

背景技术

半导体晶圆的制造必须历经一系列的工艺流程，该流程包括诸如刻蚀和光刻等不同的半导体晶圆工艺步骤，每一步骤都会影响该半导体晶圆上单芯片的最终电路结构的形成。在传统的制造流程上区分为两类主要的次工艺，第一种主要的次工艺可称为前段工艺（front end of line，FEOL），以及第二种主要的次工艺可称为后段工艺（back end of line，BEOL）。

传统的前段工艺由晶圆的激光标记开始，和接下来浅沟槽隔离的形成、形成P阱和N阱的离子注入、多晶硅的刻蚀，以及诸如晶体管结构的漏极和源极等多种区域的离子注入。

后段工艺包括金属线路的形成，以及在晶圆上不同层的金属线路间过孔接点的形成。在半导体集成电路的后段工艺中，最后一层需要形成铝垫结构，所述铝垫结构形成于铜金属层上，作为输入/输出（I/0）或者电源/接地信号提供连接；然后在铝垫的基础上形成重新布线层以满足封装的要求。

现有技术中，后续键合过程中会对铝垫造成挤压或者变形，通过聚焦离子束（FIB）横截面图形可以看到球形键合下铝垫造成破裂，进而会影响到封装的可靠性。因此，如何解决现有的球形键合造成的铝垫变形、甚至破裂的问题成为当前亟需解决的技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种铝垫结构，用于解决现有技术中球形键合造成的铝垫变形、甚至破裂的问题，提高封装的可靠性。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种提高封装可靠性的铝垫结构，其包括：

金属层，位于所述金属层上的阻挡层，以及位于所述阻挡层上的铝垫层；

其特征在于，所述铝垫层上形成有凹槽。

进一步的，所述凹槽为长方体。

进一步的，所述凹槽为四面体。

进一步的，所述凹槽为球体的一部分。

进一步的，所述金属层的材质为铜。

进一步的，所述阻挡层为无定形结构的氮化钽。

与现有技术相比，本实用新型所提供的提高封装可靠性的铝垫结构的有益效果是：

通过在铝垫层上形成有凹槽，可以避免在球形键合的过程中造成铝垫的挤压变形以及破裂，提高封装的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型一实施例所提供的提高封装可靠性的铝垫结构主视图。

图2为本实用新型一实施例所提供的提高封装可靠性的铝垫结构俯视图。

图3为本实用新型一实施例所提供的提高封装可靠性的铝垫结构主视图。

图4为本实用新型一实施例所提供的提高封装可靠性的铝垫结构俯视图。

图5为本实用新型一实施例所提供的提高封装可靠性的铝垫结构主视图。

图6为本实用新型一实施例所提供的提高封装可靠性的铝垫结构俯视图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

本实用新型的提高封装可靠性的铝垫结构可广泛应用于多种领域，并且可以利用多种替换方式实现，下面通过较佳的实施例来加以说明，当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的描述，在详述本实用新型实施例时，为了便于说明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。

【实施例一】

请参考图1，其为本实用新型一实施例所提供的提高封装可靠性的铝垫结构的主视图，如图1所示，提高封装可靠性的铝垫结构包括金属层11、位于所述金属层11上的阻挡层12、以及位于所述阻挡层12上的铝垫层13。

所述铝垫层13上形成有凹槽01。

本实施例中，所述凹槽01为长方体，其截面图为长方形。俯视图也为一长方形凹槽，如图2所示，在所述铝垫层13上形成有一形状为长方形的凹槽02。

所述金属层11的材质为铜，在所述金属层11上形成阻挡层12，所述阻挡层12为无定形结构的氮化钽，用于阻挡铜的扩散；然后在所述阻挡层12上形成铝垫层13，为了使形成的铝垫层13具有比较高的弹性系数，需要控制成膜过程中的气压与温度；最后采用湿法刻蚀或者等离子刻蚀的方法在所述铝垫层13上形成长方形凹槽01。

【实施例二】