[实用新型]三极管框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体分立器件领域，特别是涉及一种三极管框架。

背景技术

在半导体分立器件行业，随着铜以及原材料价格的不断上升，企业的原材料成本水涨船高。而一个功率三极管原材料主要包含框架、芯片、塑封料等。芯片与塑封料价格通常已经压得很低，因此降低框架成本成为众多厂商努力的方向。

传统的降低框架成本的方法是通过将半导体框架的厚度变薄，从而减少框架的成本。然而，传统框架受限于中筋和底筋尺寸固定宽度以及底筋定位孔的大小，当框架体变薄到0.36mm时，已经达到框架强度极限，再变薄则导致无法正常生产。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种相对于传统的三极管框架较薄，同时弯曲强度不变的三极管框架。

一种三极管框架，包括本体、基极引脚、发射极引脚、集电极引脚、中筋和底筋；

所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚均固定在所述底筋上，所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚间隔设置并且所述集电极引脚位于所述基极引脚和所述发射极引脚之间；

所述本体与所述集电极引脚的远离所述底筋的一端固定连接；

所述中筋分别与所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚固定连接，并且所述中筋设置在所述本体和所述底筋之间；

所述中筋的宽度为0.55mm～1.5mm；

所述底筋、所述中筋、所述本体、所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚的厚度均相同，所述底筋的厚度为0.25mm～0.36mm。

在一个实施例中，所述中筋与所述底筋平行设置。

在一个实施例中，所述中筋设置在靠近所述本体的一端。

在一个实施例中，所述本体的厚度为0.285mm。

在一个实施例中，所述基极引脚的厚度为0.285mm，所述发射极引脚的厚度为0.285mm，所述集电极引脚的厚度为0.285mm。

在一个实施例中，所述中筋宽度为1.2mm。

在一个实施例中，所述底筋的厚度为0.285mm。

上述三极管框架的底筋的厚度比传统的三极管框架的底筋的厚度要薄，由于中筋设置在所述本体和所述底筋之间，通过增加中筋的宽度，可以提高三极管框架的整体强度，从而防止三极管框架因为变薄而发生变形，因此，相比于传统的三极管框架，上述三极管框架的厚度较薄，但是弯曲强度仍然保持不变。

附图说明

图1为一实施方式的三极管框架结构示意图；

图2为由如图1所示的三极管框架组成的三极管框架系统结构示意图；

图3为封装后的三极管局部结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

如图1所示的一实施方式的三极管框架100，包括本体110、基极引脚120、发射极引脚130、集电极引脚140、中筋150和底筋160。

基极引脚120、发射极引脚130和集电极引脚140均固定在底筋160上，基极引脚120、发射极引脚130和集电极引脚140间隔设置并且集电极引脚140位于基极引脚120和发射极引脚130之间。

本体110与集电极引脚140远离底筋160的一端固定连接。

中筋150分别与基极引脚120、发射极引脚130和集电极引脚140固定连接，并且中筋150设置在本体110和底筋160之间。

中筋150的宽度可以为0.55mm～1.5mm。

底筋160的厚度可以为0.25mm～0.36mm。

中筋150设置在靠近本体110的一端。由于中筋150设置在本体110和底筋160之间，且设置在靠近本体110的一端，而且分别与基极引脚120、发射极引脚130和集电极引脚140固定连接。因此，通过增加中筋150的宽度，可以防止基极引脚120、发射极引脚130和集电极引脚140发生变形，从而提高三极管框架100的抗弯曲强度。

中筋150与底筋160可以平行设置。中筋150与底筋160平行设置可以增强三极管框架的抗变形能力。

本体110的厚度可以为0.25mm～0.36mm。本体110的厚度为0.25mm～0.36mm时，可以减少三极管框架的成本。