[实用新型]三极管框架有效
| 申请号： | 201320542834.6 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN203415572U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赖辉朋;全新;彭飞鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶导电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三极管 框架 | ||
1.一种三极管框架，其特征在于，包括本体、基极引脚、发射极引脚、集电极引脚、中筋和底筋；
所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚均固定在所述底筋上，所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚间隔设置并且所述集电极引脚位于所述基极引脚和所述发射极引脚之间；
所述本体与所述集电极引脚的远离所述底筋的一端固定连接；
所述中筋分别与所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚固定连接，并且所述中筋设置在所述本体和所述底筋之间；
所述中筋的宽度为0.55mm～1.5mm；
所述底筋、所述中筋、所述本体、所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚的厚度均相同，所述底筋的厚度为0.25mm～0.36mm。
2.根据权利要求1所述的三极管框架，其特征在于，所述中筋与所述底筋平行设置。
3.根据权利要求1所述的三极管框架，其特征在于，所述中筋设置在靠近所述本体的一端。
4.根据权利要求1所述的三极管框架，其特征在于，所述本体的厚度为0.285mm。
5.根据权利要求1所述的三极管框架，其特征在于，所述基极引脚的厚度为0.285mm，所述发射极引脚的厚度为0.285mm，所述集电极引脚的厚度为0.285mm。
6.根据权利要求1所述的三极管框架，其特征在于，所述中筋宽度为1.2mm。
7.根据权利要求1所述的三极管框架，其特征在于，所述底筋的厚度为0.285mm。
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