[实用新型]一种碳化硅薄膜生长设备

权利要求书

1.一种碳化硅薄膜生长设备，其特征在于，包括载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统；其中，所述载气装置与液态源装置、生长室和旁路相连通；所述液态源装置与所述生长室和旁路相连通；所述生长室与所述真空系统相连通，且上述各部件之间的连接可单独关闭和打开；其中，所述液态源装置包括四个液态源瓶，分别装有用于生长碳化硅薄膜的碳源、硅源、N型杂质源和P型杂质源。 

2.如权利要求1所述的碳化硅薄膜生长设备，其特征在于，所述液态源装置用于通过通入其的载气将相应的液态源送至生长室；所述载气装置用于向液态源瓶和生长室输送载气。 

3.如权利要求1所述的碳化硅薄膜生长设备，其特征在于，所述旁路用于排空通入其的气体，所述真空系统用于维持和调节生长室的真空度。 

4.如权利要求1所述的碳化硅薄膜生长设备，其特征在于，所述液态源装置包括多个液态源瓶，每个液态源瓶安装在独立的恒温槽里，并且整体安装在一个惰性气体控制柜里。 

5.如权利要求1-4任一项所述的生长设备，其特征在于，所述载气装置与生长室和旁路连接的管道的载气流量相等，而与液态源装置连接的管道的载气流量为其10％-50％。 

6.如权利要求1-4任一项所述的生长设备，其特征在于，通入生长室和旁路的载气量范围为1000sccm至5000sccm，通入液态源装置的载气量范围为100sccm至500sccm；所述液态源装置耐压范围为1Pa-2E5Pa，所述生长室耐压范围为1Pa至1E5Pa，温度范围为室温至1700℃。 

7.如权利要求6所述的生长设备，其特征在于，通入生长室和旁路的载气量为3000sccm；通入碳源瓶、硅源瓶、N型杂质源瓶和P型杂质源瓶的载气量分别为200sccm、100sccm、50sccm和100sccm，压力分别为100Pa、80Pa、50Pa和70Pa，温度分别为160℃、100℃、80℃和90℃。 

8.如权利要求4所述的生长设备，其特征在于，所述恒温槽温度范围为-50℃-300℃。