[实用新型]密封结构、反应腔室和半导体处理设备有效

专利信息
申请号: 201320425745.3 申请日: 2013-07-17
公开(公告)号: CN203429246U 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 党志泉;周卫国 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100026 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 密封 结构 反应 半导体 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种密封结构,包括密封圈,通过密封圈密封的第一结构与第二结构,其特征在于,

还包括密封圈冷却结构,

所述密封圈冷却结构包括:风冷输气管和风冷导气孔;所述风冷导气孔的一端与所述风冷输气管相导通,另一端形成多个风冷出气口,所述风冷出气口的位置位于所述密封圈内侧。

2.根据权利要求1所述的密封结构,其特征在于,

所述多个风冷出气口沿所述密封圈等间距分布。

3.根据权利要求1所述的密封结构,其特征在于,所述密封圈冷却结构还包括水冷槽,所述水冷槽的位置位于所述密封圈外侧。

4.根据权利要求1所述的密封结构,其特征在于,所述密封圈冷却结构还包括:

一个或多个隔热筒,设置于所述密封圈的内侧。

5.根据权利要求4所述的密封结构,其特征在于,所述隔热筒为金属隔热筒。

6.根据权利要求5所述的密封结构,其特征在于,所述金属隔热筒的内表面设置有反射层。

7.根据权利要求6所述的密封结构,其特征在于,对所述金属隔热筒的内表面进行抛光处理以形成反射层。

8.根据权利要求1-7任一项所述的密封结构,其特征在于,

所述第一结构为反应腔基座,所述第二结构为保温石英筒。

9.一种反应腔室,其特征在于,所述反应腔室设置有权利要求1-8任一项所述的密封结构。

10.一种半导体处理设备,其特征在于,所述半导体处理设备包括权利要求9所述的反应腔室。

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