[实用新型]沉积设备以及旋转装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种沉积设备以及旋转装置。

背景技术

微芯片加工是一个平面加工的过程，这一过程包含在衬底表面生长不同膜层的步骤，一般的，通过沉积工艺在衬底表面生长薄膜。在衬底表面沉积薄膜有多种技术，主要可以分为化学工艺和物理工艺。其中，化学工艺主要包括化学气相沉积(CVD)和电镀等，物理工艺主要包括物理气相沉积(PVD)、溅射等。下面以化学气相沉积为例对沉积设备的基本结构进行说明。

具体地，请参考图1所示的现有的化学气相沉积设备的结构示意图。化学气相沉积设备10包括反应腔11以及设置于所述反应腔11下方的旋转装置12，一般所述旋转装置12位于所述反应腔11的下侧(背离所述反应腔11进气面的一侧)。

所述反应腔11内形成有相对设置的喷淋头111和旋转台112，如在图1所示。所述喷淋头111所在的一侧为所述反应腔11的上侧，所述喷淋头111内可以设置多个通孔以提供反应气体。所述旋转台112用于设置衬底支承座，或将所述衬底直接设置在所述转台112的正面(即所述旋转台112的朝向所述喷淋头111一侧的表面)，以带动所述衬底旋转，使得薄膜可以均匀地沉积在所述衬底的表面。

所述旋转装置12所在的一侧为所述反应腔11的下侧，所述旋转装置12用于带动所述旋转台112转动，所述旋转装置12包括旋转支撑轴121、支撑座122以及筒状外壳123。所述筒状外壳123的一端连接所述支承座122上，另一端连接所述反应腔11，所述旋转支撑轴121套设在所述筒状外壳123内，所述旋转支撑轴121一端1211伸入到所述反应腔11中，并与所述反应腔11中的所述旋转台112连接，所述旋转支撑轴121用以带动所述旋转台112转动；所述旋转支撑轴121另一端1212套设在所述筒状外壳123内，所述旋转支撑轴121通过两个径向轴承124固定于所述筒状外壳123上，所述旋转支撑轴121通过所述筒状外壳123与所述支撑座122的位置相对固定，而所述筒状外壳123与所述反应腔11连接，所以，所述旋转支撑轴121一端1211所连接所述旋转台112与所述反应腔11的相对位置得以固定。

为了驱动所述旋转支撑轴121转动，所述沉积设备10还需要设置旋转驱动机构125。在现有技术中，所述旋转驱动机构125位于所述反应腔11中，所述旋转驱动机构125包括驱动马达1251、驱动轮1252和驱动带1253，所述驱动带1253连接所述驱动轮1252和所述旋转支撑轴121，所述马达1251驱动所述驱动轮1252，所述驱动轮1252通过所述驱动带1253驱动所述旋转支撑轴121转动，从而使得所述旋转台112转动。

化学气相沉积工艺过程中，所述旋转驱动机构125驱动所述旋转支撑轴121转动，在所述旋转支撑轴121的带动下，所述旋转台112会以一定的速度围绕一轴线进行旋转运动，所述轴线为所述旋转台112的正面的中垂线，从而带动所述衬底围绕所述轴线进行旋转运动。

在实际中发现，将所述旋转驱动机构设置于所述反应腔中的结构复杂，需要的部件较多，安装不方便；并且，当需要对所述旋转驱动机构进行检查时，需要打开真空的所述反应腔，维护不方便。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种沉积设备以及旋转装置，解决现有技术中所述沉积设备结构复杂的问题。

为解决上述问题，本实用新型提供一种沉积设备，所述沉积设备包括：

反应腔，所述反应腔内具有用于带动衬底旋转的旋转台；用于带动所述旋转台转动的旋转装置，所述旋转装置包括，

支撑座；

筒状外壳，其一端连接所述支承座上，另一端连接所述反应腔；以及

用以带动所述旋转台转动的旋转支撑轴，其套设在所述筒状外壳内，并能够相对所述筒状外壳转动，所述旋转支撑轴的一端伸入到所述反应腔中，并与所述反应腔中的所述旋转台连接，其特征在于：

所述筒状外壳内嵌设有旋转驱动机构，所述旋转驱动机构包括一对配合使用以驱动所述旋转支撑轴转动的定子和转子，所述定子安装于所述筒状外壳的内壁，所述转子安装于所述旋转支撑轴上。

进一步的，在所述沉积设备中，所述旋转支撑轴通过至少两个径向轴承可转动固定在所述筒状外壳内，所述径向轴承的内壁连接所述旋转支撑轴，所述径向轴承的外壁连接所述筒状外壳。

进一步的，在所述沉积设备中，所述旋转驱动机构的定子设置于两个所述径向轴承之间的所述筒状外壳上。