[实用新型]场效应管

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件领域，尤其涉及一种场效应管。

背景技术

场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写为FET）的简称，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。目前使用最为普遍的则是片状方形的场效应管，其第一引脚、第二引脚和第三引脚都位于片状方形的统一侧面上，在使用过程中，与电声原件的极板连接使用时，不能对极板起到承载作用，从而导致连接出现断。

发明内容

本实用新型实施例的目的是：提供一种场效应管，具有承载能力，使得与其他电子元件连接使用时，不容易断开。

本实用新型实施例提供的一种场效应管，包括绝缘基座、安装与所述绝缘基座上的第一引脚、第二引脚和第三引脚、位于所述绝缘基座内的芯片，所述第一引脚与所述芯片的D极连接，所述第二引脚与所述芯片的S极连接，所述第三引脚与所述芯片的G极连接， 所述绝缘基座的上表面和下表面均设有用于承载的凸台。

对于上述技术方案的改进，所述凸台为梯形台。

对于上述技术方案的进一步改进，所述第三引脚安装于所述绝缘基座的一表面，所述第一引脚和第二引脚均安装于所述绝缘基座的另一相对的表面。

对于上述技术方案的进一步改进，所述第三引脚安装于所述绝缘基座的上表面，所述第一引脚和第二引脚均安装于所述绝缘基座的下表面。

对于上述技术方案的进一步改进，所述第三引脚安装于所述绝缘基座的下表面，所述第一引脚和第二引脚均安装于所述绝缘基座的上表面。

由上可见，应用本实用新型实施例的技术方案，具有以下有益效果：

（1）具有承载能力，从而使得与其他电子元件的连接更为牢固、方便；

（2）结构简单；

（3）制作成本低。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型的不当限定，在附图中：

图1为本实用新型实施例1提供的一种场效应管的结构示意图；

图2是本实用新型实施例2提供的一种场效应管的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

实施例1：

如图1所示，本实用新型所述的场效应管，包括绝缘基座1、安装于所述绝缘基座1上的第一引脚2、第二引脚3和第三引脚4、位于所述绝缘基座1内的芯片5，所述第一引脚2与所述芯片5的D极连接，所述第一引脚3与所述芯片5的S极连接，所述第三引脚4与所述芯片5的G极连接（图中未将芯片的S、D、G画出）。同时，所述第三引脚4安装于所述绝缘基座1的一表面，所述第一引脚2和第二引脚3均安装于所述绝缘基座1的另一相对的表面。为了解决所述场效应管在使用过程中，第一引脚2、第二引脚3和第三引脚4便于与其他电子元件连接，从而在所述绝缘基座1的上表面和下表面均设有用于承载的凸台6，所述凸台6为梯形台，并且所述第三引脚4安装于所述绝缘基座1的上表面，所述第一引脚2和第二引脚3均安装于所述绝缘基座1的下表面。

实施例2:

如图2所示，本实施例与实施例1不同点仅在于：所述第三引脚4安装于所述绝缘基座1的下表面，所述第一引脚2和第二引脚3均安装于所述绝缘基座1的上表面。

以上对本实用新型实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。