[实用新型]场效应管有效
申请号: | 201320277682.1 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN203277349U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 李传南 | 申请(专利权)人: | 无锡信怡微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12 |
代理公司: | 广州天河互易知识产权代理事务所(普通合伙) 44294 | 代理人: | 尹箐 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 | ||
1.一种场效应管,包括绝缘基座(1)、安装与所述绝缘基座(1)上的第一引脚(2)、第二引脚(3)和第三引脚(4)、位于所述绝缘基座(1)内的芯片(5),所述第一引脚(2)与所述芯片(5)的D极连接,所述第二引脚(3)与所述芯片(5)的S极连接,所述第三引脚(4)与所述芯片(5)的G极连接,其特征在于:
所述绝缘基座(1)的上表面和下表面均设有用于承载的凸台(6)。
2.根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于:
所述凸台(6)为梯形台。
3.根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于:
所述第三引脚(4)安装于所述绝缘基座(1)的一表面,所述第一引脚(2)和第二引脚(3)均安装于所述绝缘基座(1)的另一相对的表面。
4.根据权利要求3所述的场效应管,其特征在于:
所述第三引脚(4)安装于所述绝缘基座(1)的上表面,所述第一引脚(2)和第二引脚(3)均安装于所述绝缘基座(1)的下表面。
5.根据权利要求3所述的场效应管,其特征在于:
所述第三引脚(4)安装于所述绝缘基座(1)的下表面,所述第一引脚(2)和第二引脚(3)均安装于所述绝缘基座(1)的上表面。
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