[实用新型]一种基于基板采用液体塑封的封装件

说明书

技术领域

本实用新型属于集成电路封装技术领域，具体是一种基于基板采用液体塑封的封装件。

背景技术

EPBGA的全称是Enhanced Plastic Ball Grid Array（增强型散热球栅阵列封装），它是集成电路采用有机载板+全金属散热片的一种反向封装法。它具有以下特点：①封装面积远小于陶瓷封装；②散热片面积大，散热性能非常良好，适用于超大规模集成电路；③PCB板溶焊时能自我居中，易上锡；④重量轻，可靠性高；⑤电性能好，整体成本低。

BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

在一种基于基板采用开槽技术的封装件及其制作工艺的专利申请文件中，由于固体塑封料无法准确将芯片和键合线封装在内并避开锡球,会损伤锡球造成电路不良，故本产品可使用液体塑封料进行封装。但是由于液体塑封料流动性较差,无法自行流动到需要覆盖住的范围,会造成芯片或者键合线未被封装在内造成产品不良。

实用新型内容

针对上述EPBGA的缺陷，本实用新型提供了一种基于基板采用液体塑封的封装件，IC芯片在封装过程中先进行开槽, 芯片通过槽口直接贴在铜板上，其散热性能极好，改善它的电热性能；在开槽后不同于以往的塑封工艺,使用液体塑封料将芯片及键合线封装,避免了固体塑封料造成电路不良而产品封装优良率低的缺陷。

一种基于基板采用液体塑封的封装件主要由引线框架、PAD、锡球、导电胶、芯片、键合线和塑封体组成。所述引线框架上有PAD和锡球，并开有槽口，引线框架通过导电胶在槽口内连接有芯片，芯片上的焊点与引线框架上的PAD通过键合线连接，芯片、键合线、锡球、引线框架构成了电路的电源和信号通道，塑封体包围了引线框架、PAD、锡球、芯片和键合线，塑封体对芯片和键合线和锡球起到了支撑和保护作用。

塑封体为液体塑封体。

一种基于基板采用液体塑封的封装件的制作工艺的流程为：晶圆减薄→划片→基板开槽植球→上芯→上芯烘烤→压焊→等离子清洗→后固化→液体塑封→成品。

附图说明

 图1引线框架剖面图；

图2引线框架植球后剖面图；

图3产品上芯后剖面图；

图4产品压焊后剖面图；

图5产品塑封后剖面图；

图6成品剖面图。

图中，1为引线框架，2为PAD，3为锡球，4为导电胶，5为芯片，6为键合线，7为塑封体。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步的说明。

如图6所示，一种基于基板采用液体塑封的封装件主要由引线框架1、PAD2、锡球3、导电胶4、芯片5、键合线6和塑封体7组成。所述引线框架1上有PAD2和锡球3，并开有槽口，引线框架1通过导电胶4在槽口内连接有芯片5，芯片5上的焊点与引线框架1上的PAD2通过键合线6连接，芯片5、键合线6、锡球3、引线框架1构成了电路的电源和信号通道，塑封体7包围了引线框架1、PAD2、锡球3、芯片5和键合线6，塑封体7对芯片5和键合线6和锡球3起到了支撑和保护作用。

塑封体7为液体塑封体。

键合线6包括金线,铜线或者合金线。

一种基于基板采用液体塑封的封装件的制作工艺的流程为：晶圆减薄→划片→基板开槽植球→上芯→上芯烘烤→压焊→等离子清洗→后固化→液体塑封→成品。

    如图1到图6所示，一种基于基板采用液体塑封的封装件的制作工艺，其按照以下步骤进行：

1、晶圆减薄：减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm；

2、划片： 150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

3、基板开槽植球：基板会根据芯片5尺寸划槽，有机基板厚度0.6mm；开槽后在基板上植锡球3，芯片5通过槽口直接贴在铜板上，其散热性能极好；基板为引线框架1；可改善产品的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高，可靠性高；

4、上芯、上芯烘烤、压焊、等离子清洗、后固化同常规EPBGA工艺；