[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包含场效应晶体管，其特征在于，

上述场效应晶体管具有：

(a)由第1氮化物半导体层构成的信道层；

(b)在上述信道层上形成的、由第2氮化物半导体层构成的隔离层；

(c)在上述隔离层上形成的、由第3氮化物半导体层构成的电子供给层；

(d)在上述电子供给层上形成的源极电极；

(e)与上述源极电极分离地在上述电子供给层上形成的漏极电极；

(f)在被上述源极电极和上述漏极电极夹着的上述电子供给层上形成的p型覆盖层；以及

(g)在上述p型覆盖层上形成的栅极电极，

上述隔离层的层厚小于上述电子供给层的层厚。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述隔离层的带隙大于上述电子供给层的带隙。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述信道层为GaN层，

上述隔离层为Al_xGa_1-xN层，

上述电子供给层为Al_yGa_1-yN层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述信道层为GaN层，

上述隔离层为Al_uIn_1-uN层，

上述电子供给层为Al_vGa_1-vN层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述信道层为GaN层，

上述隔离层为Al_aGa_1-aN层，

上述电子供给层为Al_bIn_1-bN层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述信道层为GaN层，

上述隔离层为Al_dIn_1-dN层，

上述电子供给层为Al_eIn_1-eN层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述p型覆盖层为p型Al_zGa_1-zN(0≤z≤1)层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述p型覆盖层为p型Al_cIn_1-cN(0≤c≤1)层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述p型覆盖层与上述栅极电极的接触为肖特基接触。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述p型覆盖层与上述栅极电极的接触为欧姆接触。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具备：

在上述信道层的下层形成的缓冲层；

在上述缓冲层的下层形成的核生成层；以及

在上述核生成层的下层形成的半导体基板。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

该装导体装置还具备：

在上述信道层的下层形成的缓冲层；和

在上述缓冲层的下层形成的半导体基板。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述场效应晶体管为常关型晶体管。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述隔离层的与电子供给层的界面为(0001)III族面。