[实用新型]光源组件有效

专利信息
申请号: 201320206700.7 申请日: 2013-04-22
公开(公告)号: CN203242622U 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 陈正言;李允立;苏柏仁 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光源 组件
【权利要求书】:

1.一种光源组件,其特征在于,包括:

一基板,具有一上表面;

多个第一发光二极管晶片,配置于该上表面上且与该基板电性连接;以及

至少一第二发光二极管晶片,配置于该上表面上且与该基板电性连接,其中各该第一发光二极管晶片相对远离该基板的该上表面的一顶面至该上表面相隔一第一距离,该第二发光二极管晶片相对远离该基板的该上表面的一顶面至该上表面相隔一第二距离,且该第二距离大于各该第一距离。

2.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该基板包括:

多个第一接垫,内埋于该基板的该上表面,其中各该第一接垫的一表面略切齐于该基板的该上表面,且各该第一发光二极管晶片经由相对应的该些第一接垫电性连接该基板;以及

多个第二接垫,配置于该基板的该上表面上,其中该第二发光二极管晶片经由相对应的该些第二接垫电性连接该基板。

3.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,各该第一发光二极管晶片包括一第一晶片基板、一第一半导体层以及多个第一电极,该第二发光二极管晶片包括一第二晶片基板、一第二半导体层以及多个第二电极,该第二晶片基板的厚度大于该第一晶片基板的厚度,且该些第一电极与该些第二电极皆配置于该基板的该上表面上。

4.根据权利要求3所述的光源组件,其特征在于,该第二晶片基板的厚度介于各该第一晶片基板的厚度的1倍至1+Scot(θ/2)/d”倍之间,其中S为第一发光二极管晶片与第二发光二极管晶片间距,d”为第一晶片基板的厚度,θ为第一发光二极管晶片的出光角。

5.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该第二发光二极管晶片位在任两相邻的该些第一发光二极管晶片之间。

6.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该些第一发光二极管晶片围绕该第二发光二极管晶片。

7.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该些第一发光二极管晶片为多个覆晶式发光二极管晶片。

8.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该第二发光二极管晶片为一覆晶式发光二极管晶片。

9.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该第二距离为各该第一距离的1倍至1+Scot(θ/2)/d倍之间,其中S为第一发光二极管晶片与第二发光二极管晶片间距,d为第一距离,θ为第一发光二极管晶片的出光角。

10.根据权利要求1所述的光源组件,其特征在于,该第二发光二极管晶片侧表面具有高反射率的物质。

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