[发明专利]辅助图形的形成方法和曝光目标图形的修正方法有效
申请号: | 201310745670.1 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104749900A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 王铁柱;舒强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助 图形 形成 方法 曝光 目标 修正 | ||
1.一种辅助图形的形成方法,其特征在于,包括:
提供下层图形和当前层图形,所述下层图形为第一图形,所述当前层图形中包括若干当前层子图形;
将所述下层图形和当前层图形重叠,形成第二图形;
将所述第二图形取反,获得第三图形,所述第三图形与第二图形为互补图形,所述第三图形中包括若干第三子图形;
保持所述第三子图形的中心位置不变,将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值,形成第四图形,所述第四图形中包括若干第四子图形;
去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形,形成第五图形,所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。
2.根据权利要求1所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,所述第一预设值的范围为0nm~100nm。
3.根据权利要求1所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形的方法包括:去除所述第四图形中长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形。
4.根据权利要求3所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,去除所述第四图形中长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形的方法包括:保持第四子图形的中心位置不变,将所有第四子图形的长度和宽度均缩小第二预设值,部分第四子图形消失;然后将剩余的缩小后的第四子图形的长度和宽度增大第二预设值,使剩余的部分第四子图形恢复至原来尺寸。
5.根据权利要求3所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,所述第二预设值为当前层图形中的当前层子图形可曝光的最小图形宽度。
6.根据权利要求5所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,所述第二预设值的范围为20nm~160nm。
7.根据权利要求3所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,去除所述第四图形中不可曝光的第四子图形,形成第五图形的方法还包括:将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并。
8.根据权利要求7所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并的方法包括:保持第四子图形的中心位置不变,将第四子图形的长度和宽度增大第三预设值,部分相邻的第四子图形之间的间距消失,相邻的第四子图形合并,再将增大后的第四子图形的长度和宽度减小第三预设值。
9.根据权利要求7所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,所述第三预设值为当前层图形中可曝光的最小图形间距。
10.根据权利要求9所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,所述第三预设值的范围为20nm~36nm。
11.根据权利要求7所述的辅助图形的形成方法,其特征在于,可以先去除所述第四图形中长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形,再将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并;或者先将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并,再去除长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形。
12.一种曝光目标图形的修正方法,其特征在于,包括:
提供下层曝光目标图形和待修正图形,所述下层曝光目标图形包括若干长条状的第一下层子图形,所述待修正图形中包括若干第一待修正子图形;
将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠,形成重叠图形,所述待修正图形位于下层曝光目标图形上方,部分第一待修正子图形与部分第一下层子图形之间具有重叠部分;
根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距,建立光刻分辨率限制表,所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域;
根据所述光刻分辨率限制表,保持所述第一待修正子图形的中心位置不变,对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正,形成第一修正子图形,使所述第一修正子图形进入可曝光区域,并且位于所述可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置。
13.根据权利要求12所述的曝光目标图形的修正方法,其特征在于,所述下层曝光目标图形中还包括第一散射子图形,对应的,所述待修正图形中还包括第二散射子图形;在所述重叠图形中,第二散射子图形与第一散射子图形完全重叠。
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