[发明专利]电子部件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2012年12月27日申请的日本专利申请No.2012-286118并要求其优先权，该申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

在此描述的实施例一般地涉及电子部件。

背景技术

近来，其中使用诸如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)之类的宽禁带半导体作为功率半导体器件的技术已经受到瞩目。

然而，通常宽禁带半导体器件与硅半导体器件相比，对静电的耐性较低。即使在宽禁带半导体器件被包含在树脂密封的半导体封装内的情况下，该情况也保持不变。

为了改善半导体封装对静电的耐性，存在一种与半导体封装一起安装外部保护电路的方法。然而，这类技术需要额外的工作并且导致成本增加。

附图说明

图1A是根据第一实施例的电子部件的示意性立体图，图1B是根据第一实施例的电子部件的示意性平面图；

图2A是导体剥离前的电子部件的示意性平面图，图2B是导体移除后的电子部件的示意性平面图；

图3A是根据第二实施例的电子部件的示意性立体图，图3B是根据第二实施例的电子部件的示意性平面图；

图4A是根据第三实施例的电子部件的示意性立体图，图4B是根据第三实施例的电子部件的示意性平面图；

图5A是根据第四实施例的电子部件的示意性截面图，图5B是根据第四实施例的电子部件的示意性平面图；

图6是根据第五实施例的电子部件的示意性立体图；

图7A是根据第六实施例的电子部件的示意性立体图，图7B是根据第六实施例的电子部件的示意性平面图；以及

图8是根据第七实施例的电子部件的示意性立体图。

具体实施方式

一般地，根据一个实施例，一种电子部件包括：具有多个电极的器件；与所述多个电极中每一个电极电连接的导线；密封所述导线的一部分和所述器件的第一树脂体；以及连接至所述导线并能够与第二导体接触的第一导体。

其后，将参考附图如下描述各实施例。在随后的描述中，相同的参考编号应用于相同的元件，并且对于已经描述过一次的元件，将适当省略其描述。

（第一实施例）

图1A是根据第一实施例的电子部件的示意性立体图。图1B是根据第一实施例的电子部件的示意性平面图。

图1A和图1B中所示的电子部件1是其中在树脂内密封诸如晶体管等的半导体器件的所谓半导体封装。电子部件1还因为被安装在随后描述的电路板上而被称为表面安装封装。半导体器件包括功率半导体器件。

电子部件1包括半导体器件10、多根导线20、树脂体30（第一树脂体）、多个导体40（第一导体）和导体50（第二导体）。

半导体器件10例如是金属氧化物半导体场效应晶体管。半导体器件10具有多个电极。多个电极例如是场效应晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极。半导体器件10的半导体衬底包括氮化镓(GaN)层和碳化硅(SiC)层之一。可替换地，半导体器件10的半导体衬底可以是硅(Si)层。

当半导体器件10的半导体衬底包括氮化镓层或碳化硅层时，该半导体器件10是以降低的功率损失进行高速切换方面优异的宽禁带半导体器件。注意该半导体器件10不限于场效应晶体管，可以是二极管。当半导体器件10是二极管时，多个电极包括阳极和阴极等。

多根导线20包括导线20a、20b和20e，它们电连接至半导体器件10的相应的多个电极。例如，对于多根导线20，导线20a连接至半导体器件10的栅极电极10g，导线20b连接至半导体器件10的源极电极10s，而导线20e连接至半导体器件10的漏极电极10d。

注意，导线20c和20d与导线20b一起并联连接至半导体器件10的源极电极10s，导线20d至20h与导线20e一起并联连接至半导体器件10的漏极电极10d。

半导体器件10和多根导线20的各自的部分被密封在树脂体30内。每根导线20包括作为由树脂体30密封部分的内导线以及从树脂体30的表面突出的外导线。树脂体30具有绝缘属性。多个导体40分别被设置在树脂体30上。多个导体40分别连接至多根导线20a、20b和20e。例如，多个导体40可以分别能够接触到多根导线20a、20b和20e的外导体。多个导体40可以各自接触导体50。导体50能够被安装在树脂体30的表面上，并且能从该表面移除。在安装之后，在树脂体30上设置导体50并将其连接至多个导体40中的全部导体。