[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

阵列基板是薄膜晶体管液晶显示器（TFT LCD）的主要组成之一，在制造阵列基板的过程中，通过减少所使用的光刻掩膜版（Mask）的数量，可显著减少阵列基板的制造成本，进而能减少TFT LCD的制造成本。

图1示出了具有底栅型薄膜晶体管（TFT）的阵列基板的典型结构，其在衬底1上从下至上依次形成有：栅极2、栅极绝缘层3、有源层4、源极7、漏极8、钝化层9及像素电极薄膜11。另外，在钝化层9中还形成有用于电连接像素电极薄膜11及漏极8的像素电极过孔10。其中，由于栅极2表面与衬底1表面之间存在高度差，因此，栅极2以上的各层在对应于栅极2边缘的区域都具有阶差，从而形成了台阶状的源极7及台阶状的漏极8。

现有的制造图1所示的阵列基板的方法已从最初的7Mask技术发展为目前的4Mask技术，4个Mask分别用于形成：图案化的栅极、图案化的有源层及源/漏极、像素电极过孔、图案化的像素电极。

其中制作源极、漏极和有源层的步骤，是在形成用于制作所述有源层的半导体薄膜和用于制作源极和漏极的金属薄膜后进行刻蚀，首先刻蚀掉预定形成薄膜晶体管的第一区域之外的金属薄膜5，如图2a所示；然后对预定形成所述薄膜晶体管的第一区域之外的有源层4进行刻蚀，如图2b所示；最后刻蚀掉沟道区域的金属薄膜5，如图2c所示，形成源极和漏极。

可以发现，上述的制作源极、漏极和有源层的过程中，需要进行多次刻蚀操作，导致制作时间长，制作能力有限。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，简化阵列基板制作过程中制作源极、漏极和有源层的工艺流程，进而提高生产能力。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板上包括多个薄膜晶体管，其中，所述阵列基板的制作方法包括形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层的步骤，所述形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层的步骤具体包括：

依次形成用于制作所述有源层的半导体薄膜和用于制作源极和漏极的金属薄膜，形成所述金属薄膜的金属材料能够使用第一刻蚀方法或第二刻蚀方法进行刻蚀，形成所述半导体薄膜的半导体材料仅能使用第一刻蚀方法和第二刻蚀方法中的第一刻蚀方法进行刻蚀；

采用第一刻蚀方法同时刻蚀掉预定形成所述薄膜晶体管的第一区域之外的所述半导体薄膜和金属薄膜；

采用第二刻蚀方法对保留的所述金属薄膜进行刻蚀处理，形成所述源极和漏极。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述第一刻蚀方法和第二刻蚀方法分别为湿法刻蚀和干法刻蚀。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述半导体材料为ZnON。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述有源层的形成工艺为化学气相沉积工艺。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述源极和漏极的形成工艺为溅射工艺。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述有源层包括本征半导体层和掺杂半导体层时，所述采用第二刻蚀方法对保留的所述金属薄膜进行刻蚀处理，形成所述源极和漏极后，所述方法还包括：

采用所述第二刻蚀方法刻蚀掉沟道区域内的掺杂半导体层。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述阵列基板为背沟道刻蚀型结构的阵列基板。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述阵列基板使用4Mask阵列制造工艺制作。

本发明实施例还提供了一种使用上述任意一项制作的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述所述的阵列基板。

本发明实施例在形成用于制作所述有源层时，采用的半导体薄膜仅能够使用第一刻蚀方法和第二刻蚀方法中的第一刻蚀方法进行刻蚀，而在形成用于制作源极和漏极时，采用的金属薄膜可以使用第一刻蚀方法和第二刻蚀方法中的任意一种进行刻蚀，在具体刻蚀时，对形成所述薄膜晶体管的第一区域之外的源极、漏极和有源层不需要分别刻蚀，可以采用第一刻蚀方法同时刻蚀掉预定形成所述薄膜晶体管的第一区域之外的所述金属薄膜和半导体薄膜；再采用第二刻蚀方法对保留的所述金属薄膜进行刻蚀处理，形成所述源极和漏极。上述过程简化了阵列基板制作过程中制作源极、漏极和有源层的工艺流程，进而提高TFT的生产能力。

附图说明

图1为现有技术中具有底栅型薄膜晶体管的阵列基板的剖面示意图；