[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201310717331.2 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103700625A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板上包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层的步骤，所述形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层的步骤具体包括：
依次形成用于制作所述有源层的半导体薄膜和用于制作源极和漏极的金属薄膜，其中，形成所述金属薄膜的金属材料能够使用第一刻蚀方法或第二刻蚀方法进行刻蚀，形成所述半导体薄膜的半导体材料仅能使用第一刻蚀方法和第二刻蚀方法中的第一刻蚀方法进行刻蚀；
采用第一刻蚀方法同时刻蚀掉预定形成所述薄膜晶体管的第一区域之外的所述半导体薄膜和金属薄膜；
采用第二刻蚀方法对保留的所述金属薄膜进行刻蚀处理，形成所述源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀方法和第二刻蚀方法分别为湿法刻蚀和干法刻蚀。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体材料为ZnON。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有源层的形成工艺为化学气相沉积工艺。
5.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源极和漏极的形成工艺为溅射工艺。
6.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有源层包括本征半导体层和掺杂半导体层时，所述采用第二刻蚀方法对保留的所述金属薄膜进行刻蚀处理，形成所述源极和漏极后，所述方法还包括：
采用所述第二刻蚀方法刻蚀掉沟道区域内的掺杂半导体层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板为背沟道刻蚀型结构的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板使用4Mask阵列制造工艺制作。
9.一种使用权利要求1-8中任意一项制作的阵列基板。
10.一种显示装置，包括权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
