[发明专利]一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201310697551.3 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN103956373A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 谢再锋 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 疏水 有机 薄膜 封装 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域,尤其涉及一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法和疏水有机复合材料。
背景技术
有机发光显示器,即一般所称为的OLED显示器,由于其自身具有发光的功能,与传统的液晶显示器相比,具有更低的功耗,同时还要拥有高亮度和高响应速度,已经成为显示领域目前主流的研究对象。
由于OLED显示器中起到发光功能的有机发光层,对水汽和氧气等外部环境因素十分敏感,如果将OLED显示器支架暴露在有水汽或者氧气的环境中,会使得器件性能急剧下降或者完全损坏。为了提高OLED的使用寿命和器件的稳定性,必须通过密封工艺将器件进行封装。如一种现有的有机发光二极管(OLED)显示器,采用多个阻隔层构成的封装结构来起到隔绝湿气和氧气,但是由于目前一般来说,阻隔层是由无机材料所制成的,会存在一定的问题,例如,由于各个薄膜层均采用无机材料,沉积后的薄膜存在内部应力过大,产品可靠性低;无机材料的沉积方式难以避免存在缺陷(defect),例如微小裂纹(micro-crack),异物的掺杂等问题从而影响封装的效果。另外的,目前还有采用聚合物/阻隔层/聚合物层/阻隔层这样的封装结构,但是由于采用的聚合物层,需要进行平坦化的处理,而且其平坦化的程度对封装的效果影响很大,使得整个制程十分复杂,且聚合物层没有隔水性能。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法和疏水有机复合材料。
根据本发明的一个示范性的实施例,提供一种有机发光显示装置,包括:一基板;形成于所述基板上的有机发光单元;形成于所述有机发光单元上的薄膜封装层;所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层,且为所述薄膜封装层的最外层结构。
根据本发明的一个示范性的实施例,提供一种有机发光显示装置的制造方法,包括:
步骤S1:提供一基板;在所述基板上形成有机发光单元;
步骤S2:形成覆盖所述有机发光单元的薄膜封装层;
所述步骤S2具体包括:通过等离子增强气相化学沉积法形成至少一覆盖所述有机发光单元的疏水有机层;
其中所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层,且为所述薄膜封装层的最外层结构。
根据本发明的一个示范性的实施例,提供一种疏水有机复合材料,包括:以氟化硅烷和硅烷为前驱体,通过等离子增强气相化学沉积法(PECVD)制得的氟化的杂化聚合物有机膜;
所述氟化的杂化聚合物有机膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F,含量为10-50at%;硅原子Si,含量为1-30at%,氧原子O,含量1-30at.%;碳原子C,含量15-50at.%。
根据本发明的一个示范性的实施例,提供一种疏水有机复合材料的制备方法,包括:
反应室压强小于100Pa条件下,提供一基板,所述基板的温度低于100℃;
以氟化硅烷和硅烷为前驱体,并以惰性气体为载气,其中氟化硅烷与硅烷的流量比为0.1-10;
通过等离子增强气相化学沉积法(PECVD)将所述氟化硅烷和硅烷沉积在所述基板上,形成氟化的杂化聚合物有机膜;
所述氟化的杂化聚合物有机膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F,含量为10-50at%;硅原子Si,含量为1-30at%,氧原子,含量1-30at.%;碳原子,含量15-50at.%。
由经上述的技术方案,与现有技术相比,本发明公开了一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法和疏水有机复合材料。该有机发光显示装置包括:一基板;形成于所述基板上的有机发光单元;形式于所述有机发光单元上的薄膜封装层;所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层,且为所述薄膜封装层的最外层结构。使得在水汽进入OLED时,第一道防线就是具有超强水汽阻挡能力的疏水有机层,从而阻隔了湿气的进一步浸入;另外,疏水有机层能够消除无机阻隔层所产生的应力,使得整体薄膜封装层的应力最小化。
另外,以往工艺中的聚合物阻隔层一般会采用紫外线(UV)固化或热固化等方式形成薄膜层,而本发明中采用等离子增强气相化学沉积法(PECVD)方法,以硅烷和氟化硅烷作为前驱体,等离子聚合形成疏水有机层,该结构可因工艺条件而使得所含成分有所改变。因此可以轻松根据需求而调整疏水有机层性质;另外,疏水有机层含有C-F、Si-C、Si-O-Si、C-H等化学键。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的