[发明专利]一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

一基板；

形成于所述基板上的有机发光单元；

形成于所述有机发光单元上的薄膜封装层；

所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层，且为所述薄膜封装层的最外层结构。

2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层与水汽的浸润角度为90°-170°。

3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层与水汽的浸润角度为110°-160°。

4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层为氟化的杂化聚合物有机膜；

所述氟化的杂化聚合物有机膜包含以下原子百分比的元素：氟原子F，含量为10-50at%；硅原子Si，含量为1-30at%；氧原子O，含量1-30at.%；碳原子C，含量15-50at.%。

5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜封装层还包括至少一设置于所述有机发光单元与所述疏水有机层之间的无机阻隔层。

6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜封装层由所述疏水有机层与所述无机阻隔层交替周期性层叠构成，且所述疏水有机层为所述薄膜封装层的最外层结构。

7.如权利要求6所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层与所述无机阻隔层交替周期数N，1≤N≤10，N为正整数。

8.如权利要求7所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层与所述无机阻隔层交替周期数N，1≤N≤5，N为正整数。

9.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层的厚度范围为500nm-3000nm。

10.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述无机阻隔层的厚度范围为300nm-1000nm。

11.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜封装层的厚度范围为0.5-10μm。

12.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层由包括氟化硅烷和硅烷的前驱体形成。

13.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层由包括十七氟癸基三甲氧基硅烷和四甲基硅烷的前驱体形成。

14.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层是由等离子增强气相化学沉积法形成。

15.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述无机阻隔层是由金属氧化物、金属氮化物、氧化硅或氮化硅中的一种或一种以上的材料形成。

16.如权利要求15所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述无机阻隔层是由原子层沉积法、等离子增强气相化学沉积法或物理气相沉积法形成。

17.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：

步骤S1：提供一基板，在所述基板上形成有机发光单元；

步骤S2：形成覆盖所述有机发光单元的薄膜封装层；

所述步骤S2具体包括：通过等离子增强气相化学沉积法形成至少一覆盖所述有机发光单元的疏水有机层；

其中，所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层，且为所述薄膜封装层的最外层结构。

18.如权利要求17所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，所述步骤S2包括：步骤S21和步骤S22，

其中，步骤S21具体包括：通过原子层沉积法、等离子增强气相化学沉积法或物理气相沉积法形成覆盖所述有机发光单元的无机阻隔层；

步骤S22具体包括：通过以等离子增强气相化学沉积法形成覆盖所述无机阻隔层的疏水有机层。

19.如权利要求18所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

步骤S3：M次重复所述步骤S2，形成由所述疏水有机层与所述无机阻隔层交替周期性层叠构成的薄膜封装层，0≤M≤10，M为正整数。