[发明专利]一种SiC单晶晶体质量均匀化方法无效
| 申请号： | 201310667276.0 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103628141A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 毛开礼;王英民;李斌;周立平;戴鑫;侯晓蕊;王利忠;徐伟;田牧 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 山西科贝律师事务所 14106 | 代理人： | 陈奇 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶体 质量 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC单晶晶体质量均匀化方法，包括以下步骤：
第一步、在籽晶与石墨托之间涂抹粘接剂Cx(OH)y，并将涂抹粘接剂Cx(OH)y的籽晶与石墨托进行预加热和长时焦化处理，以增强籽晶和石墨托之间的致密性；
第二步、将粉料、籽晶放置于石墨坩埚内；
第三步、将坩埚进行上下保温处理，然后放置于真空状态下的旋转机构中，旋转机构以每分钟30转的转速进行旋转；
第四步、采用物理气相传输法生长SiC单晶。
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