[发明专利]一种半导体装置终端可靠性加固技术在审
| 申请号： | 201310637598.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887327A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;任娜;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 终端 可靠性 加固 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置终端可靠性加固技术，其特征：阳极和阴极；碳化硅半导体与所述阳极和阴极形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的器件，其中，所述器件的第一次层半导体为SiC衬底。
3.如权利要求1所述的器件，其中，所述器件的第二层半导体为SiC漂移层。
4.如权利要求3所述的器件，其中，所述SiC漂移层的表面选择性离子注入形成主结P区。
5.如权利要求4所述的器件，其中，所述主结P区的外围选择性离子注入形成P型场限环。
6.如权利要求4所述的器件，其中，所述主结P区的边缘选择性离子注入形成重掺杂P区。
7.如权利要求5所述的器件，其中，所述P型场限环的上方覆盖介质层进行保护。
8.如权利要求4所述的器件，其中，所述主结P区的表面覆盖阳极金属，形成欧姆接触。
9.如权利要求2所述的器件，其中，所述SiC衬底的背面覆盖阴极金属，形成欧姆接触。
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