[发明专利]多芯片QFN封装结构在审

专利信息
申请号: 201310631682.1 申请日: 2013-12-03
公开(公告)号: CN104681544A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 陆宇;张玥;程玉华 申请(专利权)人: 上海北京大学微电子研究院
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367
代理公司: 代理人:
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 qfn 封装 结构
【权利要求书】:

1.本发明以QFN封装结构为整体框架,提出了一种多芯片Flip chip封装结构;所述结构包括塑封体,芯片,芯片基岛,导电介质基板,导电线路,焊凸,引线框架,导热焊盘以及导电焊盘。

2.如权利要求1所述的多芯片Flip chip封装结构,其特征在于,所述塑封体为矩形。

3.如权利要求1所述的多芯片Flip chip封装结构,其特征在于,所述芯片基岛为矩形。

4.如权利要求1所述的多芯片Flip chip封装结构,其特征在于,所述芯片基岛底部为导热焊盘,导热焊盘为矩形。

5.如权利要求1所述的多芯片Flip chip封装结构,其特征在于,所述的导电焊盘为一边为弧形的矩形。

6.如权利要求5所述的导电焊盘,其特征在于,导电焊盘在导热焊盘周围环形排布。

7.如权利要求1所述的多芯片Flip chip封装结构,其特征在于,所述引线框架底部为导电焊盘。

8.如权利要求1所述的多芯片Flip chip封装结构,其特征在于,所述的芯片电气面朝下。

9.如权利要求8所述的芯片电气面,其特征在于,电气面表面有相应数量的导电焊凸。

10.如权利要求9所述的焊凸,其特征在于,焊接在导电介质基板上,通过所述导电线路与引线框架连接。

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